星用低噪声场效应晶体管的可靠性研讨.pdfVIP

星用低噪声场效应晶体管的可靠性研究 刘晨晖 (信息产业部电子十三所 石家庄050002) [摘要)本文介绍了星用C波段低噪声场效应晶体管研制过程中材料、0.25wn精细准T0 型栅、金属化系统、Si3N钝‘化、装架技术和颗粒噪声 (PNID)等多项可靠性专题研究。 给出了研制的高可靠低噪声GaAsFET在4GHz下的测试结果:噪声系数N,0.6dB(最佳 值。.44dB)，相关增益Gp12dB(最佳值14DdB). [关键词]GaAsFET，低噪声，可靠性 ReliabilityInvestigationoftheLowNoise FETforSatelliteApplication LiuChenhui (The13thinstitute,MinistryofEl,Shijiazhuang,050002) Abstract:Thereliabilityinvestigationsofthematerial,0.25umfniequasiTgate, metallization,Si3N4passivation,as