精品第二章常用电力电子器件.pptVIP

《变频器原理与应用（第2版）》第2章 2.5.4 P-MOSFET的主要参数 1. 漏源击穿电压BUDS 2. 漏极连续电流ID和漏极峰值电流IDM 3. 栅源击穿电压BUGS 4. 开启电压UT 5. 极间电容 6. 通态电阻Ron * 《变频器原理与应用（第2版）》第2章 2.5.5 Ｐ-ＭＯＳＦＥＴ的栅极驱动 1）触发脉冲的前后沿要陡峭，触发脉冲的电压幅值要高于器件的开启电压，以保证Ｐ-ＭＯＳＦＥＴ的可靠触发导通。 2）开通时以低电阻对栅极电容充电，关断时为栅极电容提供低电阻放电回路，减小栅极电容的充放电时间常数，提高Ｐ-ＭＯＳＦＥＴ的开关速度。 3）Ｐ-ＭＯＳＦＥＴ开关时所需的驱动电流为栅极电容的充放电流。Ｐ-ＭＯＳＦＥＴ的极间电容越大，所需的驱动电流也越大。为了使开关波形具有足够的上升和下降陡度，驱动电流要具有较大的数值。 * 《变频器原理与应用（第2版）》第2章 2.5.6 P-ＭＯＳＦＥＴ的保护 1. 工作保护 栅源过电压的保护 漏源过电压的保护 过电流保护 2. 静电保护 器件应存放在抗静电包装袋、金属容器或导电材料包装袋中，工作人员取用器件时，必须使用腕带良好接地，且应拿器件管壳，不要拿引线； 安装时，工作台和电烙铁应良好接地； 测试