课件单晶硅基础.pptVIP

前言 超过98%的电子元件是使用单晶硅作用基础材料制备，在迅速发展的太阳能发电工程中，由于单晶硅材料有较高的光电转换率，因此也占据了重要的地位。单晶硅制备主要有两种方法：CZ，FZ。 CZ-直拉法，主要用于低功率集成电路、晶体管、太阳能电池等。其特点是容易实现单晶大直径化，设备和工艺巳比较成熟，该方法生产的单晶占硅单晶总量的85%以上。 前言 FZ-区熔，用高频加热悬浮生长，能生产高阻、高纯、高寿命的高质量单晶，主要用于探测器，大功率可控整流元件，包括能使转换率超过20%以上的太阳能单晶。 晶体生长技术，它涉及到热力学、物理化学、流体动力学、结晶学和晶体缺陷理论，由于微电子技术的飞速发展，作为基础材料的硅单晶制备技术也在迅速发展。 单晶概述 直拉单晶制造法（Czochralski，CZ法）是把原料多硅晶块放入高纯石英坩埚中，并在单晶炉中加热融化 ，再将一根直径12mm的棒状籽晶（晶种）浸入融液中。在合适的温度下，融液中的硅原子会顺着晶种的硅原子排列结构在固液交界面上形成规则的结晶，成为单晶体。 单晶概述 当晶慢慢旋转并向上提升，融液中的硅原子会在前面形成的单晶体上继续结晶，并延续其规则的原子排列结构。若整个结晶环境稳定，就可以周而复始地形成结晶，最后形成一根圆柱形的原子排列整齐的硅单晶晶体，即硅单晶锭。 单晶概述