课件第2章 常用半导体器件.pptVIP

（2）工作原理 MOS管工作时常接成图1.42所示的共源接法。与JFET工作原理有所不同，JFET是利用uGS来控制PN结耗尽层的宽窄，从而改变导电沟道的宽度，以控制漏极电流i D。而MOS管则是利用uGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流i D的目的。若uGS = 0时漏源之间已存在导电沟道，称 为耗尽型MOS管；若uGS = 0时漏源之间不存在导电沟道，称为增强型MOS管。 N沟道增强型MOS管的转移特性如图1.43（a）所示，从曲线可以看出，当uGS＞UGS（th）时，在D、S间加正向电压，沟道的变化情况与JFET相似，UGS（th）为使管子刚刚导通的栅-源电压，称为开启电压。图1.43（b）为N沟道增强型MOS管的漏极特性，其三个工作区也与JFET相似。同样也可用方程来近似分析i D与uGS的关系： （uGS＞UGS（th）） （2.12） * 其中I D0为uGS =2 UGS（th）时的i D。 2. N沟道耗尽型MOS管 若在制作MOS管时，在二氧化硅绝缘层中掺入正离子，则在uGS = 0时两个N+区之间也能感应出负电荷，形成导电沟道，如图1.4