物理冶金法多晶硅片磷吸杂工艺的优化.pdfVIP

SEM lC0NDUCT0R 0PT0ELECTR0NlCS VO1．32No．5 物理冶金法多晶硅片磷吸杂工艺的优化 武智平 ，潘 淼 ，庞爱锁 ，李艳华 ，陈 朝 (厦门大学 1．物理系；2．能源研究院；3．福建省半导体照明工程技术研究中心。福建 厦门361005J 摘 要 ： 对物理冶金法提纯的低成本多晶硅材料进行 了磷吸杂实验研究，结果表明，950℃ 下时吸杂4h去杂效果最好，对磷吸杂机理进行 了定性的分析和讨论。把去除吸杂层与制备绒面 工艺结合起来，达到较好 的效果，节省 了太阳电池制备的时间和成本。 关键词： 物理冶金法；多晶硅 ；少子寿命 ；磷吸杂 中图分类号 ：TM914．41 文献标识码 ：A 文章编号：100l一5868(2011)05一O668一O4 Optimization ofPhosphorusGetteringTechnologyon theM ulticrystalline SiliconW aferPurifiedbyPhysicalMetallurgicalProcess W U Zhiping ，PAN M iao ，PANG Aisuo ，LIYanhua ，CHEN Chao。 (1．SchoolofPhysics；2．SchoolofEnergyResearch，XiamenUniversity，Xiamen361005，CHN； 3．VujianProvinceSemiconductorIlluminationCenter，Xiamen361005，CHN) Abstract： Phosphorus(P)getteringexperimentswerecarriedouttO studymuIticrystalline siliconwaferspurified by physicalmetallurgy method．Itisfound thatthebestresultsofP getteringwasachievedat950 ℃ for4 hours．Themechanism forP gettering isanalysedand discussed．Combinedthetexturingprocesswithremovingthegetteringlayer，abetterresultcan beobtained，saveingtimeandcostforthefabricationofsolarcells． Keywords： physicalmetallurgyprocess；multicrystallinesilicon；minoritycarrierlifetime； P gettering 0 引言 续处理 ，使其满足或接近太阳能级的要求，作出具有 一 定效率 的太阳电池 ，那么对该方面的研究具有重 晶体硅太阳电池 以其技术 、工艺最成熟 ，光电转 要的意义。 换效率高 ，性能稳定等优势在光伏市场 占主导地位。 目前 ，国内外关于多晶硅的磷吸杂实验 已有很 多晶硅工业化生产普遍采用改 良西门子法，但其技 多报道 ，但是结果却大不相同，有的认为磷吸杂对 电 术复杂，成本较高，技术又被西方 国家的几个公司所 池效率没有影响[1；有的认为磷吸杂能有效提高少 垄断。物理冶金法是 目前发展 的生产太 阳能级硅 子寿命 ，但对 电池效率的改善并不明显 ；有人则认 (6N)的新工艺，具有工艺简单，成本较低等优势。 为磷吸杂对少子寿命和 电池效率都有显著改善[3]。 但其 目前的主要缺点有：工艺不够成熟、产品质量不 可能是因为选用的材料不同或处理过程 的不同，从 稳定、提纯的多晶硅纯度低，往往达不到太阳能级的 而导致 了结果的不同。但多数人认为磷吸杂是可以 要求 。如果能够