薄膜SOl上大于600 V LDMOS器件的研制.pdfVIP

N DOI：10．3969／j．issn．1003—353x．2012．04．002 薄膜 SOl上大于600VLDMOS器件的研制 王中健 ，夏超 ，徐大伟 ，程新红 ，宋朝瑞 ，俞跃辉 (1．中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室，上海 200050； 2．中国科学院研究生院，北京 100049) 摘要：针对600V以上 SOI高压器件的研制需要 ，分析 了SOI高压器件在纵向和横向上的耐 压原理。通过 比较提 出薄膜 SOI上实现高击穿电压方案，并通过仿真预言其可行性。在埋氧层为 3 m，顶层硅为1．5 m的注氧键合 (Simbond)SOI衬底上开发 了与 CMOS工艺兼容的制备流 程。为实现均一的横向电场 ，设计 了具有线性渐变掺杂60 m漂移 区的LDMOS结构。为提高纵 向耐压，利用场氧技术对硅膜进行了进一步减薄。流片实验的测试结果表 明，器件关态击穿电压 可达600V以上 (实测832V)，开 态特性正常，阈值 电压提取 为 1．9V，计算开 态 电阻为 5On ·mm 。 关键词 ：绝缘体上硅 ；横 向扩散金属氧化物半导体 ；击穿电压；线性渐变掺杂 ；注氧键合 中图分类号 ：TN386 文献标识码 ：A 文章编号 ：1003—353X (2012)04—0254—04 Study0fLDM OSDeviceover600V onThinFilm SOI WangZhongjian ，XiaChao ，XuDawei1,2，ChengXinhong， SongZhaorui，YUYuehui (1．StateKeyLaboratoryofFunctionalMaterialsforInformatics，ShanghaiInstituteofMicro—System InformationTechnology，ChineseAcademyofSciences，Shanghai200050，China； 2．GraduateUniversityofChineseAcademyofSciences，Beng100049，China) Abstract：Inordertofabricateover600 V high voltagedevicesontheSO1wafelr thewithstand voltagetheoryoftheSOIdevicewasanalyzedfrom horizontalandverticalaspects． Realizationofhigh voltageon thin film SO1was proposed and verified by simulation． CMOS compatible SOI LDMOS processesweredesignedandimplementedsuccessfullyonSimbond (SIMOXandbonding)SO1wa~rs with 1．5 m top silicon and 3Ixm buried oxidelayer．An optimized60 Ixm driftregion implantmask wasdesignedtorealizea linearlygraded dopingprofile，and silicon thicknessin the driftregion was reducedfurtherbythethickfieldoxideprocess．Theresultsshowthattheoff-statebreakdownvoltageof SOILDMOSis832V，thethresholdvoltageis1．9V，andthespecificon—resistanceis50n ·mm ． Keywords：silicononinsulator(SOI)；laterallydiffusedmetaloxidesemiconductor(LDMOS)；