精选微细加工与mems技术-张庆中-14-外延.pptVIP

* UHVCVD 的生长速率极慢。对不掺杂或 P 型外延层，生长速率每分钟不到 1 纳米，而对 N 型外延层则几乎不能生长。此外，由于超高真空下的加热主要靠辐射，为保持温度均匀性必须缓慢升温，这不利于对硅片的预清洗。 二、 UHVCVD SiH4 热分解法气相外延的温度较低，但因 SiH4 会在气相中成核而产生较多的颗粒。SiH4 在气相中的反应需要与气体分子发生碰撞才能进行，所以在真空度高达 10-9 Torr 的超高真空中可以防止 SiH4 的气相反应，从而在低温下实现外延生长。 * 14.11 分子束外延技术 分子束外延系统的主要组成部分 1、蒸发源 有 3 种类型的蒸发源： (1) Knudsen 单元（喷射盒） (2) 电子束源 (3) 气态源 分子束外延是在真空蒸发镀合金和化合物材料的基础上发展起来的。其基本原理与双蒸发源三温度法相同，只是要求更精确更严格。分子束外延系统是一种可以实时监控的多源多温度定向分子流蒸发系统，是含有众多先进技术的复杂系统。 * 2、真空系统 通常由机械泵、吸附泵、离子