课件补充章 电子技术基础(半导体技术知识).pptVIP

(1-*) B E C N N P ICBO ICEO= ? IBE+ICBO IBE ?IBE ICBO进入N区，形成IBE。 根据放大关系，由于IBE的存在，必有电流? IBE。 集电结反偏有ICBO 例如： (1-*) 4.集电极最大电流ICM 集电极电流IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 所以集电极电流应为：IC= ? IB+ICEO 而ICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 (1-*) 5.集-射极反向击穿电压 当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。 (1-*) 6.集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC流过三极管，所发出的焦耳热为： PC=ICUCE 必定导致结温上升，所以PC有限制。 PC?PCM (1-*) IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 * * * * (1-*) PN结 面接触型 P N (1-*) (2)、伏安特性 U I 死区电压 硅管0.6V,锗管0.2V。 导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 反向击穿电压U(BR) (1-*) (3)、主要参数 （1）最大整流电流 IOM 二极管长期使