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钨塞1 的形成1）金属淀积钛阻挡层（PVD）2）淀积氮化钛（CVD）3）淀积钨（CVD）4）磨抛钨 Figure 9.24 * 多晶硅、钨 LI 和钨塞的SEM显微照片 Polysilicon Tungsten LI Tungsten plug Mag. 17,000 X Photo 9.4 * 十、第一层金属互连的形成1）金属钛阻挡层淀积（PVD）2）淀积铝铜合金（PVD）3）淀积氮化钛（PVD）4）第十一层掩膜，金属刻蚀 Figure 9.25 * 第一套钨通孔上第一层金属的SEM显微照片 Micrograph courtesy of Integrated Circuit Engineering TiN metal cap Mag. 17,000 X Tungsten plug Metal 1, Al Photo 9.5 * 十一、通孔2和钨塞2的形成制作通孔2的主要步骤1）ILD-2间隙填充2）ILD-2氧化物淀积3）ILD-2氧化物平坦化4）第十二层掩膜，ILD-2刻蚀 Figure 9.26 * 制作第二层钨塞的主要步骤1）金属淀积钛阻挡层(PVD)2）淀积氮化钛(CVD)3）淀积钨（CVD）4）磨抛钨 Figure 9.27 * 第一套钨通孔上第一层金属的SEM显微照片 Micrograph courtesy of Integrated Circuit Engineering TiN metal cap Mag. 17,000 X Tungsten plug Metal 1, Al * 十二、第二层金属互连的形成1）淀积、刻蚀金属22）填充第三层层间介质间隙3）淀积、平坦化ILD-3氧化物4）刻蚀通孔3，淀积钛/氮化钛、钨，平坦化 Figure 9.28 * 十三、制作第三层金属直到制作压点和合金 重复工艺制作第三层和第四层金属后，完成第四层金属的刻蚀，紧接着利用薄膜工艺淀积第五层层间介质氧化物（ILD-5）(见下图)。由于所刻印的结构比先前工艺中形成的0.25μm尺寸要大很多，所以这一层介质不需要化学机械抛光。 工艺的最后一步包括再次生长二氧化硅层（第六层层间介质）以及随后生长顶层氮化硅。这一层氮化硅称为钝化层。其目的是保护产品免受潮气、划伤以及沾污的影响。 十四、参数测试 * 十四、参数测试 硅片要进行两次测试以确定产品的功能可靠性：第一次测试在首层金属刻蚀完成后进行，第二次是在完成芯片制造的最后一步工艺后进行。 * 整个 0.18 mm的CMOS 剖面 Figure 9.29 Passivation layer Bonding pad metal p+ Silicon substrate LI oxide STI n-well p-well ILD-1 ILD-2 ILD-3 ILD-4 ILD-5 M-1 M-2 M-3 M-4 Poly gate p- Epitaxial layer p+ n+ ILD-6 LI metal Via p+ p+ n+ n+ * 微处理器剖面的SEM 显微照片 Micrograph courtesy of Integrated Circuit Engineering Mag. 18,250 X Photo 9.6 * * * * * * 电信学院微电子教研室 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda 电信学院微电子教研室 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda 电信学院微电子教研室 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda 电信学院微电子教研室 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda 电信学院微电子教研室 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda 电信学院微电子教研室 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda 电信学院微电子教研室 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda 电信学院微电子教研室 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda 电信学院微电子教研室 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda 电信学院微电子教研室 半导体制造技术 by Micha