精品电磁波与电磁场——第九章.pptVIP

已知表面电流为通过单位宽度的电流强度，因此单位宽度且单位长度波导壁内的损耗功率 为 式中表面电流 ，这里 为波导壁表面的磁场强度。将 沿单位长度波导内壁进行积分，即可求得单位长度内波导壁引起的损耗功率 。 由左图可见，当矩形波导尺寸一定时，TE10 波的损耗最小。当宽壁尺寸一定时，窄壁愈窄，衰减常数愈大。 TM11 由左图可见，在高频端，圆波导中TE01波损耗最小。但是 TE01 波的截止波长并不是最长。若要实现 TE01 波单模传输，必须设法抑制TM01、TE21及TE11波。 实际中使用的椭圆波导既可避免场型偏转，又可获得较小的损耗。 当横截面的面积相等时，矩形的周长大于圆的周长，因此，圆波导损耗较小。但是圆波导传输TE11波时，其场分布会发生横向偏转。 为了减少波导壁的损耗，应提高表面的光洁度，可以镀银或金。还可在波导中充入干燥的惰性气体以防止表面氧化。 例 计算矩形波导中传输TE10波时，波导壁产生的衰减。 解 已知当矩形波导传输TE10波时，波导宽壁上的电流具有 x 分量及 z分量，而窄壁上只有 y 分量。因此，单位长度内，宽壁上的损耗功率为 式中 ， 。 单位长度内窄壁上的损耗功率为 式中 ，则单位长度内总损耗功率为 再算出传输功率P，然后考虑上述 ，即可求得TE10波衰减常数为 8. 谐振腔 在米波以上的微波波段，集中参数的LC 谐振电路无法使用，经常使用相应波段的传输线形成谐振器件，这种谐振器件称为谐振腔。 因为随着频率升高，必须减小电感量和电容量，但是当LC 很小时，分布参数的影响不可忽略。电容器的引线电感、线圈之间以及器件之间的分布电容必须考虑。这就意味着，在米波以上波段，很难制造单纯的电容及电感元件。此外，随着频率升高，回路的电磁辐射效应也较显著，电容器中的介质损耗也随之增加，这些因素导致集中参数的谐振电路的品质因素Q 值显著下降。 本节介绍由金属波导形成的谐振腔的原理及特性。 当矩形波导终端短路时，电磁波将被全部反射，在波导中形成驻波。若矩形波导工作于主模，TE10波的电场仅有横向分量，短路端形成电场驻波的波节。在离短路端半个波导波长处，又形成第二个电场驻波的波节。若在此处放置一块横向短路片，仍然满足电场边界条件，如下图示。 d ?g /2 b a x y z 这样，电磁波在短路端及短路片之间来回反射形成驻波。根据TE10波的场强公式及边界条件，求得该金属腔中电磁场方程式为 利用三角公式，上式又可写为 此式表明，金属腔中的电场及磁场在 x 及 z 方向上均形成驻波，但电场驻波及磁场驻波的时间相位差为 。当电场能量达到最大值时，磁场能量为零；反之，当磁场能量达到最大值时，电场能量为零。电磁能量在电场与磁场之间不断地交换，而且无须外界输入能量一直存在，这种现象称为谐振。因此这种金属腔称为谐振腔，它可作为微波电路中的谐振器件。 对于尺寸一定的谐振腔，仅对特定的频率发生谐振现象。发生谐振的频率称为谐振频率，对应的波长称为谐振波长。 显然，只要谐振腔的长度为 均可满足边界条件，即发生谐振。因此，谐振腔的谐振频率具有多值性。 又因波导波长还与模式有关，因此，模式不同，谐振频率也不同。 已知矩形波导中z 向传播常数为 当 时， ， ，代入上式，得 考虑到 ，求得谐振波长 及谐振频率 分别为 可见，谐振波长或谐振频率不仅与谐振腔的尺寸有关， 还与波导中的工作模式有关，每组（mnl）对应于一种模式。例如TE101模式代表矩形波导谐振腔工作于TE10波，腔长为半个波导波长。 为了有效地设计谐振腔的耦合及调谐装置，必须了解谐振腔中的场分布。 下图给出了矩形谐振腔工作于TE101模式时的场结构。 x z y x y z b a d 磁场线 电场线 和一切谐振器件一样，实际的谐振腔总存在一定的损耗。为了衡量谐振器件的损耗大小，通常使用品质因素Q 值，其定义为 式中?0 为谐振角频率，W 为腔中总储能，也就是电场储能的时间最大值或磁场储能的时间最大值，Pl 为腔中的损耗功率。 根据前述TE10波的场强公式，求出电场储能的时间最大值为 与计算波导壁的损耗方法相同，可以求出矩形谐振腔中TE101模式的损耗功率为 将这些结果代入 值公式，求得矩形波导谐振腔工作于T