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NiMnGa单晶的磁感生应变及孪晶界移动的能量-重庆理工大学学报
第24卷 第5期 重 庆 理 工 大 学 学报(自然科学) 2010年5月
Vol.24 No.5 JournalofChongqingUniversityofTechnology(NaturalScience) May.2010
NiMn Ga 单晶的磁感生应变及
52 24.5 23.5
孪晶界移动的能量损耗
1 1 2 2 1
张 健 ,吴振兴 ,李济林 ,刘海定 ,崔玉亭
(1.重庆师范大学 物理与信息技术学院,重庆 400047;2.重庆仪表材料研究所,重庆 400700)
摘 要:测量了不同温度下NiMn Ga 单晶的磁感生应变。温度在280K(略低于马氏
52 24.5 23.5
体相变完成温度)时,测量得到的磁感生应变量高达-1.2%;随着温度的降低,磁感生应变量会
迅速减小;在250K的温度下,磁感生应变量仅为-0.37%,结果说明:铁磁形状记忆合金 NiMn
Ga材料的磁感生应变具有明显的温度依赖性。此外,根据热力学理论,计算了在不同温度下,1
个循环(升、降磁场)磁感生应变过程中孪晶界移动的能量损耗,结果表明:同种样品、不同温度下
的磁感生应变量可定性地反映一个循环过程中孪晶界移动的能量损耗的大小。
关 键 词:孪晶界移动;磁感生应变;能量损耗
+
中图分类号:TG139.6 文献标识码:A 文章编号:1674-8425(2010)05-0059-05
MagneticfieldinducedStrainandEnergyConsumptionof
winboundaryMotioninNiMn Ga SingleCrystal
52 24.5 23.5
1 1 2 2 1
ZHANGJian,WUZhenxing,LIJilin,LIUDinghai,CUIYuting
(1.CollegeofPhysicsandInformationTechnology,ChongqingNormalUniversity,Chongqing400047,China;
2.ChongqingInstrumentMaterialResearchInstitute,Chongqing400700,China)
Abstract:ThemagneticfieldinducedstrainofaferromagneticshapememoryalloyNi52Mn24.
5Ga23.5singlecrystalwasmeasuredatdifferenttemperatures.Alargemagneticfieldinducedstrain
upto1.2%wasobtainedat280Ktemperature(slightlylowerthanthemartensitephasetransforma
tioncompletiontemperature).Asthetemperaturedecreased,themagneticfieldinducedstrain
decreasedrapidly.Themagneticfieldinducedstrainwasonly0.37% at250Ktemperature,which
indicatedthemagneticfieldinducedstrainintheferromagneticshapememo
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