合金化对VH2解氢性能的影响InfluenceofDopantsonthe.PDFVIP

2011 年第69 卷 化 学 学 报 Vol. 69, 2011 第11 期, 1327～1336 ACTA CHIMICA SINICA No. 11, 1327～1336 ·研究论文· 合金化对 VH 解氢性能的影响 2 李 荣* 罗小玲 梁国明 付文升 (重庆师范大学化学学院 重庆 400047) 摘要 采用密度泛函理论(DFT)的第一性原理的平面波超软赝势方法, 研究了C, Si, Ge, Sn, Pb 合金化对VH2 的电子结 构和解氢性能的影响. 计算结果显示C, Si, Ge, Sn, Pb 合金化VH 后晶体模型的负合金形成热减少, 费米能级E 处的电 2 f 子浓度N(E )增加, 表明体系结构稳定性减弱, 解氢能力增强; V-H 之间重叠集居数和电子密度计算也表明V-H 之间相 f 互作用减弱, 解氢能力增强; 同时Mulliken 集居数计算结果还显示掺杂以后解氢能力增强与V-d 轨道Mulliken 集居数 减少, V-s 轨道Mulliken 集居数增加有关. 关键词 元素掺杂; 电子结构; 解氢性能; 第一原理计算 Influence of Dopants on the Dehydrogenation Properties of VH2 Li, Rong* Luo, Xiaoling Liang, Guoming Fu, Wensheng (College of Chemistry, Chongqing Normal University, Chongqing 400047) Abstract In this paper, using the plane waves ultrasoft pseudopotential method which base on the first principles of DFT, we have studied the effect of C, Si, Ge, Sn and Pb alloying on the electronic structure and dehydrogenation properties of VH2 . The calculated results show that the generation heating of V-C, V-Si, V-Ge, V-Sn and V-Pb alloy are lower than those of pure VH alloy, and the electron density of E fermi level 2 f increases, exhibiting that the structural st