基于感应加热的MEMS键合工艺研究.pdfVIP

中国机械工程第16卷增刊2005年7月 基于感应加热的MEMS键合工艺研究 陈明祥1 易新建1 甘志银1 刘 胜1’2 1．华中科技大学，武汉，430074 2．美国韦恩州立大学，密西根，底特律，48202 摘要：对感应局部加热实现MEMS封装键合进行了初步研究。试验中选用功率为1kw、频率为400kHz的高 频电源，通过对感应线圈优化设计，实现了硅片上的焊料图形键合。为实现局部加热，感应加热图形(键合区)应 设计为封闭环结构(同时也易于形成气密封装结构)，而芯片上其他部分(包括电路、连线、焊点等)，由于为非封闭 结构和图形，无涡流产生或产生的涡流很小，仍处于较低温度，从而避免了高温对芯片上温度敏感结构的破坏。此 外，还对影响键舍效果的感应层材料和结构设计进行了探讨。 关键词：感应加热，微机电系统，封装，焊料键合，局部加热 中图分类号：TN405 文章编号：1004—132 x(2005)S1一0