液态金属吸附促进位错发射的分子动力学研讨.pdfVIP

液态金属吸附促进位错发射的分子动力学研究 周国辉 周富信 ‘褚武扬 北‘京科技大学材料物理系 100083) (’中国科学院力学研究所 100080) 张文清 陈难先 北‘京科技大学应用物理研究所 100083) 摘要 利用第一原理和陈难先三维晶格反演方法获得AI-Ga，Cu-Ga和Ga-Ga有效对势.运用分子 动力学研究液态金属吸附对位错发射的影响 模拟结果表明，当AI晶体的裂纹表面吸附Ga原子之后， 裂尖发射位错的临界应力强度显著降低.发射位错的临界应力强度因子从吸附前的。7MPamln降低为 OAMPamrs;当Cu晶体的裂纹表面吸附Ga原子之后，裂尖发射位错的临界应力强度略微降低.发射位 错的临界应力强度因子从吸附前的。55MPamn降低为0.45MPam,rz 通过保守1积分表明 吸附Ga原