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铁电薄膜红外焦平面阵列的研究进展 吴传贵 刘兴钊 张万里 李言荣 (电子科技大学微电子与固体电子学院 成都 610054) 摘要：本文介绍了铁电薄膜热释电红外探测嚣的工作模式，研究现状和发展趋势，着重介绍了 探洲嚣单元蛄构设计以及铁电薄膜与si基读出电路(ROIC)的集成技术．为了克服薄膜生长过程中 较高的基片温度对ROIC的破坏性影响．一方面发展了离子束辅助沉积，外廷缓冲层等多种低温生长 技术，同时也发腰了复合探测器结构设计．已研制出了性能良好的铁电薄膜非制冷红外焦平面阵列， 其NEDT可达20aK． 关键词： 铁电薄膜；熟释电：非制冷红外焦平面阵列；低温生长 1．引言 红外探测器是用以探测物体红外辐射能量的一种器件．根据其工作机理不同，可分为光子探测 器和热探测器两大类．热释电红外探测器利用材料的热释电效应探测红外辐射能量，属于后一类。 热释电红外探测器对温度随时间的变化率做出响应．它只在斩波、脉冲或其他形式的调制辐射 作用下才有信号输出，不随时间变化的稳定背景辐射可以忽略。与光子探测器相比。虽然热释电探 测器灵敏度较低，但其工作过程不需建立热平衡，响应速度快．光谱响应范围宽。 2．铁电红外焦平面阵列的工作模式 熟释电是自发极化随温度变化表现出的效应，极化的摔列使热释电晶体的两端出现束缚电荷。 在热平衡态，这些束缚电荷被等量的自由电荷所屏蔽，材料对外不显示热释电效应．当温度改变时。 白发极化发生变化，原来的自由电荷不能完全屏蔽束缚电荷，于是在材料表面表现出自由电荷。若 用调制频率为，的红外辐射照射热释电晶体，则晶体温度、自发极化强度以及由此引起的面束缚电 荷密度均发生周期性变化．如果1／，小于自由电荷中和面束缚电荷所需要的时间，在热释电晶体两 端面之间将产生交变开路电压．若将这两端面被上电极并与负载形成闭合回路。负载的两端也会产 生交变的电压信号。热释电探测器就是乖J用这一原理工作的． c盅薏i至蕾l皇gA∞ _莒暑t5卫j2：占 图l铁电材料自发极化强度、介电常致与温度的变化关系 根据居里温度与器件工作温度的选择，铁电红外焦平面阵列具有两种工作模式： (1)以Prr和PZT为代表，其居里温度远远高于工作温度．这种工作模式通常称之为“传统的 热释电探测器”．由于其居里温度远离工作温度，热释电系数在较大的温度范围内变化很小，所以， 热释电模式探测器不需要恒温器，也不需要加偏压，但必须进行人工极化． (2)以BST、PST为代表，工作在居里温度附近。当温度变化时，其介电常数f产生剧烈变化， 如图1曲线圳昕示．利用该性质工作的红外探测器通常称之为介电辐射计．为了获得最佳性能，这 类探测器需要加直流偏压与恒温器。 在外电场作用下。极化强度定义为： 以最力=只(力+f￡萨(E：乃dE’ (1) 其中口表示电位移矢量；只表示自发极化强度：F表示介电常数：，表示温度． 热释电系数为： 尸㈤。咐f挚’ ㈣ 肺表示零电场下的热释电系数(即本征热释电系数)，第二项表示介电常数随温度变化而产生的热释 电效应．介电辐射计中，通常本征热释电系数可以忽略不计，热释电系数主要由第二项决定．所以， 介电辐射计也被称为。电场增强型热释电探测器”．为了综合评价材料的热释电性能。材料的优值因 子月定义为： ． ． Fd：，』 (3) G√岛占tan艿 其中p为热释电系数：G为材料体积比热；f为材料相对介电常数；tan占为材料介电损耗．表1 列出了典型的铁电陶瓷的优值因子．可见，BST、PsT的优值因子分别是PZT的2倍和3倍．因此， 预计介电辐射计具有更加良好的性能． 表1典