《MEMSCAD》结业考试内容修改版.docVIP

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《MEMSCAD》结业考试内容修改版

平时上课出勤及表现(20%) 实验课出勤/实验结果检查/实验报告/期中测试(30%) 课程结业试题 理论/设计/总结报告 (50%) 课程最终成绩 上面表格为该课程最终成绩记入方法。 2012/2013学年 第2学期 《MEMS CAD》课程结业试题 学 院: 电子与计算机科学技术学院 班级及学号: 姓 名: 本结业试题包括: 一、理论部分; 二、综合设计实验部分; 三、本课程主要内容总结报告。 理论试题部分 (40分) 综合设计实验仿真部分 (40分) 课程总结报告 (20分) 总分 提交截止时间:2013年5月20日中午12:00点。 任课教师:谭秋林 E-mail: tanqiulin.99@163.com 2013-5-10 一、理论部分 1、按您的理解,请阐述运用ANSYS软件进行分析求解问题的基本步骤和思路。结合本专业,谈谈其在所学专业中的应用。 (10分) 2、分别阐述INTELLISUITE和 L-EDIT软件在微电子学专业中的作用和能完成的任务。说明用INTELLISUITE软件分析仿真工程问题时的基本步骤。 (16分) 3、请阐述用完全法(Full)MEMS CAD技术的发展情况,目前中国与欧洲等发达国家存在的差距和需解决的技术瓶颈问题。 (8分) 二、请您针对本课程主要内容拟写总结报告,报告的第一部分为本课程的主要内容总结,第二部分请您谈谈你对本课程学习的认识与体会。本题要求图片不能太大,该题总页数不能超过6页。 (20分) 三、综合性设计实验: (与第二题,任选做一题) (a)正视图 (b)俯视图 图1 高量程加速度传感器结构 图2 结构截面图及参数说明 题意:上图为一高g值加速度传感器结构示意图,四端固支梁岛结构截面图如图2所示,各结构参数定义如下: 梁长; 梁宽; 梁厚; KOH腐蚀深度; KOH腐蚀形成111与100的夹角θ,; 质量块长/宽; 质量块厚H,; 质量块下表面边长s,; 梁 质量块 边框 长度 (a1) (a2) (h1) (a2) () () 底部 宽度 (c2) 结构整体 长度/宽度 尺寸 (μm)600 1050 80 1050 598 395 800 577 3850 单晶硅的材料参数 参数 (Kg/um3) EX(N*um-2) PRXY 硅 2.33*10-15 1.7*105 0.3 求解: 1)建立高g值传感器模型; ------------(10分) 2)对模型加载边界条件全约束和150000g的加速度,然后进行ANSYS求解分析,查看结构各部分的受力状况; ---------(10分) 3)求解六阶模态,并在word文档中保存其前六阶模态云图; --(10分) 4)采用完全法对高g值加速度传感器模型进行瞬态分析。在结构敏感方向上(Z方向)20μs的冲击加速度,值为200000g。将载荷分为50个子步,画出其敏感质量块端部的最大位移曲线。 ----(10分) 一、理论部分 1、按您的理解,请阐述运用ANSYS软件进行分析求解问题的基本步骤和思路。结合本专业,谈谈其在所学专业中的应用。 基本步骤和思路: 通过对问题描述的分析和构思,对要建立的模型有一个整体的框架,对如何建立,怎么样建立要有充分的认识; 做好分析工作后,才去适当的方法,建立实体模型。建模方法有自底向上(首先建立关键点,用这些点建立线、面等)和自顶向下(首先定义体(或面),然后对这些体或面按一定规则组合得到最终需要的形状); 对模型进行网格化分,形成有限元模型。其中网格划分包括自由式网格划分和映射式网格划分; 对有限元模型施加约束与载荷进行求解分析,其中包括静力学分析,模态分析以及瞬态分析等; 进入后处理器,获得计算结果,并对结果进行分析与观察。 ansys在微电子学专业中的应用: ANSYS是一个通用的有限元分析软件,它的能用性就表现它多种多样的分析

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