厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 5’ 5 #$$% 5 ， ， ， 7WC ,5’ +W ,5 MAX #$$% （ ） !$$$@#%$S#$$%S5’ $5 S(!3@$5 ?=R? TUV4)=? 4)+)=? #$$% =FB* , TFXY , 4W0 , 厚度对!#$% 生长’( 薄膜位错特性与 光电性质的影响! ） ） ） ） ） ） ） ! ! ! ! ! ! ! 张 曾 张 荣 谢自力 刘 斌 修