等离子体增强化学气相沉积氮化碳薄膜过程中的光学发射谱研究.PDF

等离子体增强化学气相沉积氮化碳薄膜过程中的光学发射谱研究 于 威，王淑芳，任国斌，李晓苇，张连水，傅广生 河北大学物理科学与技术学院，河北 保定 !#!!$ 摘 要 利用光学发射谱技术对直流辉光放电等离子体增强的化学气相沉积氮化碳薄膜过程中的等离子体 进行了原位诊断，结果表明主要的辐射有 的第二正系跃迁、 的第一负系跃迁、 和 的紫外跃迁。 % % ’% %( $ $ 研究了气源中氢气含量、放电电流及沉积气压的变化对 （ ）， （ ）和 （ ）辐射 % ))*#+, % )-#*.+, ’% )//*)+, $ $ 强度的影响，并在此基础上探讨了这几种跃迁的激发机制，其结果为氮化碳合成中优化沉积参数、控制实验过 程提供了依据。 主题词 光学发射谱；等离子体增强的化学气相沉积；氮化碳 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） 012*)# 3 #!!!4!2-)$!!$!#4!!-4!. !#$% !’’(’*+,’-./01-2+.+1-314.’0*#1--+.*+2’ 引 言 ) 4+/, 2’13+.’2# 20 /172+30*’89:; ) 5 6 6 ［，］ 自从 和 #$ 用第一性原理研究了与 结 678 ’59:+ 4;7% 反应气体 ! ) . % ( ’( $ $ . 构类似的 的电子和结构上的性质并认为其硬度可能 碳源浓度／（ ） 4’% !I #!$ ! ) . 浓度／（ ） ( !I !!)2 超过金刚石以来，关于 4’% 的实验制备一直是材料领域的 $