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基于BCD工艺的高压PMOS器件设计研究.pdfVIP

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  • 2018-01-03 发布于广东
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基于BCD工艺的高压PMOS器件设计研究.pdf

    I四J 2008年12月 Jl省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会论文集 基于BCD工艺的高压PMOS器件设计 张彦昭乔明毛煜张波 【电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都610054) 摘 数，包括漂移区浓度、场板长度等进行优化设计。获得了满足高功率BeD工艺电压电流要求的高压PMOS，并有流片测试结 果。该实验结果应用于一款集成电路产品设计中． 关键词：BeD工艺PMOS击穿电压场板长度 of PMOSDeviceBaseonBCD DesignHighVoltage Technology Yanzhao MaoKun Bo Zhang QiaoMin

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