离子束曝光技术.docxVIP

第3期2003年9月微细加工技术M ICROFABRICA TION TECHNOLOGYNo.3Sep. ,2003文章编号 :1003Ο8213 (2003)03Ο0009Ο07离子束曝光技术初明璋,顾文琪(中国科学院电工研究所 ,北京100080)摘要:论述了离子束曝光技术的原理、特点,分析了其面临的关键技术问题,如掩模技 术、离子源技术、图像对准技术等,并介绍了这些年来国外的一些研究机构及公司在离子束曝光技术上的研究进展及取得的一些新结果。关 键 词:离子束;投影;曝光;镂空掩模中图分类号 : TN305.7文献标识码:A1引言集成电路已经从60年代每个芯片上仅几十个器件发展到现在每个芯片上可包含约10亿个器件,其增长过程遵从摩尔定律,即集成度每18个月翻一番,这一增长速度不仅导致了半导体市场在过去 30年中以平均每年约15%的速度增长,而且对现代经济、国防和社会也产生了巨大的影响。据报道,英特尔将在2003 年推出世界上第一块采用 90 nm工艺制 造的芯片,使芯片制造工艺进入纳米时代。 到2005 年,英特尔将推出采用65nm工艺制 造的芯片,到2007 年推出采用45nm工艺制 造的芯片,到2009年将芯片制造工艺降到30 nm 以内[ 1 ]。集成电路之所以能飞速发展,光刻技术 的支持起到了极为关键的作用。因为它直接 决定了单个器件的物理尺寸。每一代集成电 路的出现,总是以光刻所获得的线宽为主要技术标志。光刻技术的不断发展从三方面为集成电路技术的进步提供了保证:其一是大面积均匀曝光,在同一块硅片上同时做出大 量器件和芯片,保证了批量化的生产水平;其 二是图形线宽不断缩小,使集成度不断提高, 生产成本持续下降;其三,由于线宽的缩小, 器件的运行速度越来越快,使集成电路的性 能不断提高。随着集成度的提高,光刻技术 所面临的困难也越来越多[ 2 ]。在0.1μm之后用于替代光学光刻的所谓下一代光刻技术(NGL)主要有:极紫外 线、X射线、电子束和离子束光刻。由于光学光刻的不断突破,它们一直处于“候选者”的地位,并形成竞争态势。这些技术能否在生产中取得应用,取决于它们的技术成熟程度、 设备成本和生产效率等因素。由于离子束曝 光是唯一一个既可以不用掩模又可以不用抗 蚀剂的曝光方式,因此近年来这一技术成为继0.1μm后,50nm以下光刻技术领域人们 关注的又一个焦点[ 3 ]。收稿日期 :2003Ο03Ο17 ;修订日期 :2003 - 05 - 22作者简介:初明璋(1973-),女,黑龙江齐齐哈尔市人,工程师,主要从事投影技术的研究;顾文琪(1941-),男,上海人,研究员,博士生导师,长期从事投影曝光技术的研究。102聚焦离子束技术概述微细加工技术2003年聚焦离子束(FocusedIonBeam,FIB)技 术是二十世纪七十年代后期在美国问世的[ 4 ] 。1975年美国阿贡实验室首先将液态 金属离子源 (Liquid Metal Ion Source ,LMIS)实用化。1979年美国休斯实验室将LMIS发射出的镓离子束聚焦到 0. 1 μm 量级,并 将它用于图形的直接描绘。离子束聚焦技术的关键是实现源的高亮度和束径的微细化。要实现这一目标,其一 是要获得亮度高、寿命长和稳定性好的离子源;其二是要在束流强度一定的条件下设计获得最小束斑的离子光学系统。图1是聚焦离子束模型机的离子光学柱 示意图。它主要由离子源、静电透镜、质量分 析器、静电偏转器等部分组成。图 2 离子源结构示意图速,形成具有一定能量的离子流。按发射机理的不同,离子源可分为三大类,如表1所示。静电透镜的作用是聚焦离子束,并对离 子进一步加速,使其具有所需的动能。一般情况下,为了实现将离子源产生的离子聚焦 到纳米数量级,通常采用双透镜系统来聚焦离子束。在FIB中,由于离子质量比较大,因此几乎全采用静电透镜,而不用磁透镜。 目前使用静电透镜的离子光学柱可获得束径 为6nm的离子束。质量分析器的作用是屏蔽不需要的离 子,让需要的离子通过。通常的质量分析器 有E×B质量分析器和磁质量分析器两种。静电偏转器的作用是用来偏转离子束, 使离子束能够在二维靶平面上扫描,并对扫 描范围之间的任意位置进行各种微加工。静电偏转器有平行板偏转器、多极偏转器和电阻盒式偏转器。3离子束曝光技术概述离子束曝光是一种类似于电子束曝光的技术,它是在聚焦离子束技术基础上将原子被离化后形成的离子束的能量控制在 10keV～[5]图 1 聚焦离子束模型机离子光学柱示意图200keV范围内,再对抗蚀剂进行曝光,从而离子源是产生离子束的装置,其结构如图2 所示,气体或液态金属在电离区电离成离子 后,经离子提取区对不同离子进行分离并加获得微细线条的图形。其曝光机理是离子束照射抗