第九章半导体异质结结构.pptVIP

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  • 2017-12-28 发布于河北
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第九章半导体异质结结构

第九章 半导体异质结结构;9.1.1 半导体异质结的能带图 根据两种半导体单晶材料的导电类型,异质结又分为以下两类: 1.反型异质结,指有导电类型相反的两种不同的半导体单晶材料所形成的异质结 2.同型异质结,指有导电类型相同的两种不同的半导体单晶材料所形成的异质结。 异质结也可以分为突变型异质结和缓变形异质结两种。; 如果从一种半导体材料向另一种半导体材料得过渡只发生于几个原子范围内,则称为突变型异质结。如果发生于几个扩散长度范围内,则称为缓变形异质结。 1.不考虑界面态时的能带图 (1)突变反型异质结能带图 ; 如图表示两种不同的半导体材料没有形成异质结前的热平衡能带图。有下标“1”者为禁带宽度小的半导体材料的物理参数,有下标“2”者为禁带宽度大的半导体材料的物理参数。; 如从图中可见,在形成异质结之前,p型半导体的费米能级EF1的位置为 而n型的半导体的费米能级EF2的位置为 当这两块导电类型相反的半导体材料紧密接触形成异质结时,由于n型半导体的费米能级位置高,电子将从n型半导体流向p半导体,同时空穴在与电子相反的方向流动,直至两块半导体的费米能级相等为止。; 这时两块半导体有统一的费米能级,即 因而异质结处于热平衡状态。两块半导体材料交界面的两端形成了空间电荷区。n型半导体

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