太阳电池设计及工艺讲稿-6.pptVIP

金属诱导结晶法（Metal Induced Crystallization, MIC） 金属诱导结晶法在近年来逐渐受到人们的关注，被认为是制作多晶硅薄膜电池、平面显示器、薄膜晶体管的极具推广潜力的方法。 非晶硅薄膜的金属诱导结晶是指当非晶硅薄膜与某种金属薄膜相接触时，在一定的温度条件下进行退火可以让非晶硅薄膜转变为多晶硅薄膜的方法。 常见的铝、镍、铜、银、金等都可以用作金属诱导结晶的材料，不同的材料所对应的金属诱导结晶温度各不相同，但一般都不超过1000℃，过程完成的退火时间通常为几十分钟到几个小时。 上世纪70 年代人们便已经展开对金属诱导结晶的研究，但是目前为止其机理仍然没有比较完善的解释。 比如金属诱导结晶过程中的成核机制，以及宏观上发生的层交换等问题，都还需要更深入的探索和理解。 在应用推广角度来看，金属诱导结晶法所采用的材料以及设备是建立在现有的薄膜太阳电池生产体系上的，比如非晶硅薄膜沉积时用到的磁控溅射或PECVD 系统。 金属层沉积时用到的真空蒸镀设备或者粒子束辅助沉积系统也是太阳电池底电极制作时常用的设备 激光诱导结晶法（Laser Induced Crystallization，LIC） 近年来被逐渐应用到非晶硅晶化工艺过程中。 这种方法是利用聚焦的短脉冲激光束扫描非晶硅（或者微晶硅）薄膜以达到加热退火的目的。 扫描速率以及入射光的能量都会对退火效果产生影响，退火过程中处在扫描范围内的薄膜可能处于液相（完全熔化）或者固液混合相（部分熔化），这将影响最终结晶的晶粒大小。 值得注意的是，因为这种方法采用的是短脉冲激光，退火过程中衬底的温度比薄膜的温度低很多，这非常有利于减小衬底杂质向薄膜扩散。 高温制备技术 多晶硅薄膜的高温制备技术主要针对耐温较高的衬底材料。 与低温制备技术不同的是，高温制备选择衬底材料时除了价格外还需要重点考虑到以下问题： （1）材料的物理性能、化学性质的稳定性（涉及杂质扩散）； （2）衬底表面粗糙度与厚度均匀性； （3）热膨胀系数（TEC）匹配性； 通常可供我们选用的衬底包括： 石墨、不锈钢、陶瓷、硅废料等。 相对低温方法而言，高温方法的沉积速率往往较快，适合高效率的工业化生产。 但由于采用异质衬底，所以高温沉积方法得到的硅薄膜晶粒也不会太大（通 常情况下不超过5 微米）。 此外，还可以通过之前提到的沉积工艺在耐高温衬底上制作一层非晶硅，然后通过高温条件的结晶方法来制备多晶硅薄膜。 目前比较成熟的高温条件结晶方法包括：快速热退火（RTA），区域熔融结晶法（ZMR）等。 （1）快速热退火（Rapid Thermal Annealing，RTA） RTA 是目前比较流行的一种退火方法，在非晶硅晶化、注入激活、缺陷退火、氢钝化、电极制作等方面都有都有着广泛的应用。 RTA 的优点在于退火时间短（从几秒到几分钟不等），可以有效避免长时间退火引起的杂质扩散等负面影响。 但同时也带来了温度均匀性、温度测量、以及温度快速变化情况下的应力问题。 （2）区域熔融结晶法（Zone Melting Crystallization，ZMR） 区域熔融结晶法通常被叫做区熔法，是让衬底表面的薄膜很窄的区域通过加热熔化，随着熔化区域的移动薄膜逐渐冷却结晶为多晶硅的过程。 ZMR 技术最初是在20 世纪50 年代被用来制作照明材料的单晶薄膜。 此后，ZMR 被发展并用于Ge、InSb 等低熔点半导体材料的生长。 直到上个世纪80 年代，ZMR 技术被进一步改良并用于制作基于绝缘衬底的硅CMOS 器件工艺中。 实验室用的ZMR 设备 层转移技术 层转移技术流程图 由德国斯图加特大学保持的层转移技术制备的晶硅薄膜电池效率可以达到16.7%，大大超越了其他各类薄膜太阳电池。 层转移技术是基于优质晶体硅衬底的外延剥离技术，所以需要一块质量上乘的晶体硅衬底（单晶硅或者大晶粒多晶硅）。 为了能够剥离外延出的晶硅薄膜，首先要对硅衬底进行表面处理，制备出一定厚度的多孔硅层。 然后在多孔硅层上外延制备出晶硅薄膜电池结构。 最后将薄膜电池固定在载板上并将衬底与薄膜剥离开来。 陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳电池结构示意图 管式退火炉 磁控溅射加快速热退火设备实物图 硅层厚度小于铝层厚度时多晶硅晶粒的树枝生长 非晶硅层与铝层厚度比略大于1 的样品结晶情况 薄膜多晶硅材料制备初步结果 晶体结构测试分析-1 晶体结构测试分析-2 晶体结构测试分析-3 少子寿命测试-1 少子寿命测试-2 玻璃衬底多晶硅太阳电池结构 激光划线（ 1） 工艺：这一步主要是划刻 氧化锡，使用的1064纳米波长的红外激光器 激光划线（ 2） 工艺：这一步主要是划刻非晶硅a-Si，使用的532纳米波长的绿光激光器 工艺：这一步主要是划刻 铝或者银以及氧化锌膜，使用的532纳米