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扬州杰利半导体有限公司 Semiconductor CO., LTD.PDF

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扬州杰利半导体有限公司 Semiconductor CO., LTD TVS 芯片(台面轴向系列产品) 一、芯片特征: 1.Glass+LTO双层钝化保护 2.单沟槽台面工艺 3.芯片表面镀层为Ni/Ni/Au 二、芯片结构 A B 正视图 三、产品型号及规格: 1.200W Reverse Breakdown Test Reverse Max Clamp Peak Pulse Dice Scale Scale stand-off voltage Current Leakage Voltage Current Part Number Scale (A) (B) (C) Voltage VBR@IT IR@VRWM IT Vc@Ipp Ipp VRWM Min Max UNI BI UNI BI mil mil um V V V mA uA uA V A P2KE7.5A / 46±2 29±1 330±30 6.4 7.13 7.88 1 200 200 11.3 17.6 P2KE8.2A P2KE8.2CA 46±2 29±1 330±30 7.0 7.79 8.61 1 100 100 12.1 16.5 P2KE9.1A P2KE9.1CA 46±2 29±1 330±30 7.8 8.65 9.55 1 50 50 13.4 14.9 P2KE10A P2KE10CA 46±2 29±1 330±30 8.6 9.50 10.50 1 10 10 14.5 13.8 P2KE11A P2KE11CA 46±2 29±1 330±30 9.4 10.50 11.60 1 5 5 15.6 13.0 P2KE12A P2KE12CA 46±2 29±1 330±30 10.2 11.40 12.60 1 1 1 16.7 12.0 P2KE13A P2KE13CA 46±2 29±1 330±30 11.1 12.40 13.70 1 1 1 18.2 11.0 P2KE15A P2KE15CA 46±2 29±1 330±30 12.8 14.30 15.80 1 1 1 21.2 9.4 P2KE16A P2KE16CA 46±2 29±1 330±30 13.6 15.20

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