12umCMOS工艺BSIM1模型参数的提取.pdfVIP

1.2umCMOS工艺BSIMI模型参数的提取 夏增浪 胡贵才 李荫波 赵元富 北京微电r技术研究所 (北京9243信箱 100076 摘要:本文简单地介绍了BSIMI器件模型，给出了采用IC一CAP软件提取模型参数所需 的器件结构和测试系统，并针对华晶1.2umcmoS工艺提取了一套BSIM1的模型参数;同 时还讨论了这套模型参数用来设计1.2umCMOS模拟电路的可行性. 一、引言 随着CAI)技术的发展，人们提出了许多用于计算机辅助设计的MOSFET模型，从长 沟器件到深亚微米器件，从数字电路到模拟电路.就目前研究和使用的结果来看，所用的 器件模型基本上能满足数字电路的仿真精度，但对于模拟电路，则这些模型在不同程度上 与实际结果有所偏差 BSIMI是一个比较流行的用于亚微米工艺的器件模型 它在数字电路领域已使用的相 当广泛;但在亚微米技术上，人们已经看到，该模型用来做模拟电路的仿真，已有相当的 误差.本文将阐述BSIMI模型参数的提取方法，针对华晶1.2um的CMOs工艺，提取一 套BSIMI模型参数，并讨论这套模型参数用于1.2umCMOS模拟电路设计的精确性. 二、BSIMI模型介绍 BSIMII’】是Berkeley大学开发的用于小尺寸MOs器件的模型，与Level一3一样， 它是一个半经验模型;然而不同的是，BSIMI模型是建立在小尺寸器件物理的基础之上 大部分参数具有相应的物理意义，所以它能够更精确地反映出小尺寸的效应 在BSIMI 模型中，考虑 了以下几个效应: (I)载流子迁移率与垂直电场的关系; (2)载流子速度饱和; (3)漏诱导势垒降低效应; (4)源漏耗尽电荷的分享; (5)非均匀掺杂; (6)沟道长度调制效应; (7)亚闽电导效应; (8)电学参数对几何尺寸的依赖关系; BSIM1解决了过去器件模型中输出电导不连续的问题，但它还是存在中等反型的问 题. 三、BSIMI模型参数提取方法 1、测试图形的设计 为了能够提取BSIMI模型参数，测试图形应包括以下三种: 〔】)大尺寸器件:如W/L=15um/15um; (2)窄沟器件:W/L=Wl15um; 〔沟道宽度W取设计规则允许尺寸) (3)短沟器件:W/L二15um/Lum; 〔沟道长度L取特征尺寸) 460- 一一一 -.r 其中大尺寸器件用于提取与短沟和窄沟效应无关的模型参数;窄沟器件用于提取与窄 沟效应有关的模型参数;短沟器件用于提取与短沟效应有关的模型参数. 2、模型参数提取系统 这里采用的测试系统包括IIP4156A半导体参数分析仪、分析探针台和装有IC一CAP 软件 (HP公司的器件模型参数提取软件)的工作站.图一是整个系统的连接关系 图1.模型参数提取的测试系统 BSIMl模型参数提取流程 图2示出了IC一C”提取BSIM1模型参数的流程c21 模型参数初始化 提取环境建立 过闭值测量 过阑值参数提取 亚阂特性测量 图2.IC一CAP提取BSIM1模型参数的流程 由于BSIMI中大多数的提取算法已具有一些内在的优化特性，所以提取的参数已经 比较精确地反映了器件特性，所以BSIMI模型参数的提取流程中参数优化一步可以省略， 四、BSIMI模型参数的提取与结果讨论 我所有一项课题，计划在华晶1.2um的CMOS工艺线上做数模混合电路，根据设计人 员的要求。电路仿真采用BSIMI模型.为了给设计人员提供精确的模型参数，我们根据 IC一CAP提取方法的要求，设计了测试图形，并按照上一节所述的提取流程，提取了一 套完整的BSIMI模型参数 461一 图3是W/L=5um/1