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率、衬底温度和反应气压对制备a-Si:H薄膜的生长速率和光学带隙的影响。结果表明,
影响薄膜均匀性的因素主要是电极间距和辉光功率的大小;随着辉光功率、衬底温度、反
应气压的增加,生长速率都有所增加,但过快的生长速率会导致薄膜内部缺陷增多,性能
薄膜样品的光学带隙在1.7eV至2.1eV的范围内变化;并利用正交实验的手段,得到了
本PECVD设备的最佳实验参数。
薄膜为9.46
在1.5eV至2.0eV之间甚至更宽的范围内变化。
电效应。而在a-Si:H上用磁控溅射的方法制作铝电极可能对薄膜有一定的损伤,会造成
金属与半导体的点接触,降低器件的整流特性。
外光源有较强的吸收;p-i·n型a-Si:H/4H.SiC光电二极管具有较好的整流特性和光电特性,
这样为将来进一步研究高性能的a·Sil.x-yCxGey:H/SiC光电器件打下了一定的基础。
本课题得到国家自然科学基金资助。
Abstract
Title:Photoelectricof ThinFilmsand
Properties
a—Sil-x.yCxGey:H
a..Si:H14H.-SiC
andSolidStateElectronics
Major:Microelectronics
Name:XinCAO m俐
Signature:
PU
Supervisor:Associate
Prof.Hongbin Signature:
“
Date:沙m了、z
1
Abstract
As
a electronic silicon-basedthinfilm
potentialphoto material,hydrogenatedamorphous
is it hasless of
attention,because
attractingwidely energy
expending,multipleoptions
that ona SOon.Asanewsemiconductor
substrate,and
easilydepositinglargearea,and material,
silicon a
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