电子电路第一章 半导体器件 -PN结及二极管.pptVIP

此电路称为在工作点Q(UDQ, IDQ)处的微变等效电路(小信号等效电路)。 上述分析方法 称为微变等效电路分析法。 IF — 最大整流电流(最大正向平均电流) UR— 最高反向工作电压，为 U(BR) / 2 反向电流 IR：即IS，越小单向导电性越好 PN结电容效应:PN结的电荷量随外加电压而变化，呈现电容效应，称为结电容Cj A、势垒电容CB（Barrier) :势垒电容是由空间电荷区形成 势垒电容：PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化，有电荷的积累和释放的过程，与电容的充放电相同，其等效电容称为势垒电容Cb。 扩散电容： PN结外加的正向电压变化时，在扩散路程中载流子的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的过程，其等效电容称为扩散电容Cd。 结电容： 结电容不是常量！若PN结外加电压频率高到一定程度，则失去单向导电性！ 低频时，因结电容很小，对 PN 结影响很小。 高频时，因容抗增大，使结电容分流，导致单向 导电性变差。 3. 结面积小时结电容小，工作频率高。 什么是击穿？PN结当反向电压增大到一定数值时，反向电流突然增加。就是反向击穿，它分为雪崩击穿和齐纳击穿。 什么是雪崩击穿？反向电场使载流子加速，动能增大，撞击晶体中的原子，产生额外的载流子，一个载流子撞击能够产生额外成千上万的载流子就像一个雪球能够引起雪崩一样。 什么是齐纳击穿？齐纳