第5章 存储器系统-1.pptVIP

四、存储器片选信号及存储器芯片地址范围的确定 1.存储器片选信号与地址范围的关系 片选信号决定了存储器芯片的高位地址。 2.由片选信号的产生电路图确定芯片地址的范围 例1、EPROM芯片2764A，实模式下设片选信号的产生电路如下： 芯片地址范围如下：FE000H-FFFFFH A0-A12 D0—D7 OE CE A0-A12 D0-D7 MRDC … A19 A18 … A13 8K*8 … A18 … A13 A19 CE 则芯片地址范围如下：7E000H---7FFFFH 此片选信号采用的是全译码方式：即高位地址全部参与译码。 若片选信号产生电路如下： 思考：用2716（2K*8）构成存储器，要求地址范围为BF800H—BFFFFH，采用全译码，片选信号应如何产生。 例2、以SRAM芯片6116（2K*8）为例，设实模式下的片选信号产生电路如下： CE … A18 A17 … A12 A19-A16 A15-A12 A11-A8 A7-A0 地址范围 0 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0-0 7F000H- 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1-1 7FFFFH 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0-0 FF000H- 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1-1 FFFFFH 部分译码方式：即存储芯片占据多个地址范围，其中任意一个地址区域用户均可使用，但剩余的地址空间只能空着不用。 优点：电路相对简单 缺点：浪费地址空间。 3.采用译码器产生片选信号： 例1：用74LS138译码器做片选信号产生电路（以2764A---8K*8为例）。 A0-A12 D0—D7 OE CE A0-A12 D0-D7 MRDC E1 E2 E3 C B A A19 A17 A16 A18 A15 A14 A13 Y0 地址范围如下 B0000H-B1FFFH ﹠ * 第5章 存贮器 第5章 存贮器 §1 存储器分类及性能指标 §2 典型ROM/RAM芯片介绍 §3 存储器扩展设计 学习指导和要求 重点内容: ?了解存储器分类及其性能指标 ?掌握典型ROM和RAM的引脚信号 及与CPU的连接方法 ?掌握存储器系统的扩展设计方法 SRAM：静态RAM DRAM：动态RAM 掩模ROM PROM：编程ROM EPROM：可擦（紫外线）写ROM EEPROM：电擦写ROM （按字节） Flash：电擦写ROM （按块） RAM ROM 1.只读存储器ROM 定义：只能读出，不能写入，断开电源后，信息不会消失。 作用：存放固定的程序，如微机的监控程序、编译程序、系统软件以及常数、表格等。 ①掩模ROM：掩模技术制作，封装后不能改写。 ② PROM(可编程)：可由用户一次性编程写入，写入后 不能改写。 ③EPROM(紫外线可擦PROM)：用户可多次改写内容，紫外 线照射约半小时，所有存储位置位 ④ E2PROM (电可擦PROM)：字节为单位多次用电擦除并可 直接在机内进行，故方便灵活。 ⑤ FLASH(闪存): 也是一种电擦写型ROM。 区别：EEPROM是按字节擦写，速度慢，而闪存 是按块擦写，速度快。 ④ 保存系统当前设置的各种参数。但需要有后备电源及掉电保护电路的支持。 2.随机存取存储器RAM(Random Access Memory) RAM中的信息不能长期保存,一旦停电时，所存信息会丢失。 RAM作用： ① 正在执行的程序和数据，中间运算结果和I/O数据等。 ②作堆栈(Stack) ③I/O数据缓冲器 RAM的分类 ： SRAM(静态RAM)：