GaN微电子器件的发展分析.doc

GaN微电子器件 摘要：本文介绍了GaN材料的优良特性以及工艺上存在的问题；着重介绍了GaN微电子器件的发展和应用； GaN器件的前景和市场。 关键词：GaN； GaN材料；GaN器件 The Research of the GaN Microelectronic Devices Abstract: This paper introduced the properties of GaN materials and the problems existing in the process. The paper discussed the development and applications of the GaN microelectronic devices. The paper also described the future and market demand of the GaN microelectronic devices. Keywords:GaN; GaN material; GaN microelectronic devices 1 引言 以Si和GaAs为代表的传统半导体材料，其器件在抗辐射、高温、高压和高功率的要求已逐渐不能满足现在电子技术的发展。宽禁带半导体(SiC、GaN等)电子器件，可以应用在高温、高压、高频和恶劣的环境中，如雷达、无线通信的基站及卫星通信。GaN禁带宽度大、击穿电压高、电子饱和漂移速度高，具有优良的电学和光学特性以及良好的化学稳定性，使其在高频大功率、高温电子器件等方面倍受青睐，宽禁带半导体已成为微电子学新领域，是当代半导体科学技术最重要的前沿领域之一。 2 GaN材料 2.1 GaN材料性质 GaN是一种很稳定的化合物并且显示了很强的硬度，它的宽禁带、高饱和速度以及高的击穿电压有利于制造成为微波功率器件。GaN是一个非常稳定的化合物展硬度。正是这种在高温稳定其硬度氮化镓具有吸引力的防护涂层材料 图1（a）GaN纤锌矿晶体结构 图1（b）GaN闪锌矿晶体结构 带隙能量 Eg（300K）=3.39eV Eg（1.6K）=3.50eV 带隙温度系数 （T=300K） d Eg /dT=－6.0×10-4 cV/K 带隙压力系数（T=300K） d Eg /dP=－4.2×10-5 cV/Mpa 热膨胀系数（T=300K） Δa/a=5.59×10-6 K Δc/c=3.17×10-6 K 热导率 k=1.3W/cm·K 折射率 n(1eV)=2.33 n(3.38eV)=2.67 2.3 GaN材料的缺点问题 在理论上由于其能带结构的关系，其中载流子的有效质量较大，输运性质较差，则低电场迁移率低，高频性能差。 现在用异质外延（以蓝宝石和SiC作为衬底）技术生长出的GaN单晶，还不太令人满意，例如位错密度达到了108~1010/cm2 ；未掺杂GaN的室温背景载流子（电子）浓度高达1017/cm3，并呈现出n型导电；虽然容易实现n型掺杂，但p型掺杂水平太低（主要是掺Mg），所得空穴浓度只有1017~1018/cm3，迁移率＜10cm2/V.s，掺杂效率只有0.1%～1% 。 　总之，从整体来看，GaN的优点弥补了其缺点，而制作微波功率器件的效果还往往要远优于现有的一切半导体材料。 GaN常见微电子器件的发展 3.1.2 GaN基MESFET 采用GaN的宽禁带和简单的制造工艺，采用低压MOCVD技术，并在蓝宝石衬底上利用一层AlN薄膜缓冲层来提高GaN膜的质量的方法来制作MESFET器件。1993年，Khan等人就已经采用该方法首次制造了GaN MESFET，并用Ti/Au形成欧姆接触作为源和漏，用银形成肖特基接触作为栅。最终获得器件栅长为1μm，在栅偏压为-1V处，跨导为23mS/mm。随后，S. C.Binari 等人采用有机物金属汽相外延技术在蓝宝石衬底上生长一个无意识掺杂的GaN 外延层fT 将达到20～40GHz。 虽然硅是研究得最多和最先进的技术，它不能在各种条件下表现出良好的性能。新的宽带隙半导体尤其是氮化镓（GaN）则弥补了硅的不足，成为实现超高功率和超高频微波应用的首选。氮化镓异质技术已用于研究高性能调制掺杂场效应晶体管（MODFET）和自对准MOS门使用了氮化镓调制层 图2.1 MOS AlGaN/GaN HEMT结构MODFET机构是在HEFT结构的基础上