2015年高考化学大二轮专题复习与增分策略训练 专题12 常见非金属元素.doc

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2015年高考化学大二轮专题复习与增分策略训练 专题12 常见非金属元素

[考纲要求]  考点一 碳、硅及其重要化合物 1.理清知识主线 H4 ―→O―→O2 H4 ―→O2(H2SO3) 2.注意网络构建 3.扫除知识盲点 (1)工业上制备粗硅,是用过量的C和SiO2高温下反应,由于C过量,生成的是CO而不是CO2,该反应必须在隔绝空气的条件下进行。 (2)氢氟酸不能用玻璃容器盛放;NaOH溶液能用玻璃试剂瓶,但不能用玻璃塞。 (3)酸性氧化物一般能与水反应生成酸,但SiO2不溶于水;酸性氧化物一般不与酸作用,但SiO2能与HF反应。 (4)硅酸盐大多难溶于水,常见可溶性硅酸盐是硅酸钠,其水溶液称为泡花碱或水玻璃,但却是盐溶液。 (5)H2CO3的酸性大于H2SiO3的,所以有Na2SiO3+CO2(少量)+H2OH2SiO3↓+Na2CO3,但高温下Na2CO3+SiO2Na2SiO3+CO2↑也能发生,原因可以从两方面解释:①硅酸盐比碳酸盐稳定;②从化学平衡角度,由高沸点难挥发固体SiO2制得低沸点易挥发的CO2。 (6)SiO2不导电,是制作光导纤维的材料;Si是半导体,是制作光电池的材料。 (7)水泥、玻璃与陶瓷是三大传统无机非金属材料;碳化硅、氮化硅等是新型无机非金属材料。 题组一 重要反应必练 1.按要求书写反应方程式。 (1)制水煤气 C+H2O(g)CO+H2。 (2)制备粗硅 2C+SiO22CO↑+Si。 (3)Mg在CO2中燃烧 2Mg+CO22MgO+C。 (4)“水滴石穿”的反应原理(用离子方程式表示) CaCO3+CO2+H2OCa2++2HCO。 (5)“钟乳石”的形成过程(用化学方程式表示) CaCO3+CO2+H2OCa(HCO3)2, Ca(HCO3)2CaCO3↓+CO2↑+H2O。 (6)向饱和Na2CO3溶液中通入过量CO2的离子方程式 2Na++CO+CO2+H2O2NaHCO3↓。 (7)Si和氢氟酸的反应的化学方程式 Si+4HFSiF4↑+2H2↑。 (8)Si和NaOH溶液反应的离子方程式 Si+2OH-+H2OSiO+2H2↑。 (9)SiO2和氢氟酸的反应的化学方程式 SiO2+4HFSiF4↑+2H2O。 (10)SiO2和NaOH溶液反应的离子方程式 SiO2+2OH-===SiO+H2O。 (11)向Na2SiO3溶液中通入过量CO2的离子方程式 SiO+2CO2+2H2O===H2SiO3↓+2HCO。 题组二 准确判断物质性质 2.正误判断,正确的划“√”,错误的划“×” (1)NH4F水溶液中含有HF,因此NH4F溶液不能存放于玻璃试剂瓶中(√) (2014·天津理综,3B) (2)氢氟酸刻蚀玻璃涉及化学变化(√) (2014·重庆理综,1C) (3)Ca(HCO3)2溶液与过量NaOH溶液反应可得到Ca(OH)2(×) (2014·重庆理综,3C) (4)硅胶可作袋装食品的干燥剂(√) (2014·四川理综,1B) (5)晶体硅熔点高、硬度大,可用于制作半导体材料(×) (2014·江苏,4A) (6)浓硫酸可刻蚀石英制艺术品(×) (2014·海南,1C) (7)玻璃容器可长期盛放各种酸(×) (2014·海南,9A) (8)Si和SiO2都用于制造光导纤维(×) (2014·海南,10D) (9)石英只能用于生产光导纤维(×) (2013·福建理综,6A) (10)高温下用焦炭还原SiO2制取粗硅(√) (2013·广东理综,11C) (11)二氧化硅不与强酸反应,可用石英器皿盛放氢氟酸(×) (2013·江苏,4B) 题组三 重要实验探究 3.单晶硅是信息产业中重要的基础材料。通常用碳在高温下还原二氧化硅制得粗硅(含铁、铝、硼、磷等杂质),粗硅与氯气反应生成四氯化硅(反应温度450~500 ℃),四氯化硅经提纯后用氢气还原可得高纯硅。以下是实验室制备四氯化硅的装置示意图。 相关信息如下: a.四氯化硅遇水极易水解; b.硼、铝、铁、磷在高温下均能与氯气直接反应生成相应的氯化物; c.有关物质的物理常数见下表: 物质 SiCl4 BCl3 AlCl3 FeCl3 PCl5 沸点/℃ 57.7 12.8 - 315 - 熔点/℃ -70.0 -107.2 - - - 升华温度/℃ - - 180 300 162 请回答下列问题: (1)写出装置A中发生反应的离子方程式: ___________________________________ ________________________________________________________________________。 (2)装置A中g管的作用是____________;装置C中的试剂是__________;装置E中的h瓶需要冷却的理由是______

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