硅铁冶炼原理(精华).doc

硅铁冶炼原理 ——冶金1001班第四组 一.硅铁冶炼的炉内反应 硅铁冶炼的炉内反应 SiO2的还原过程复杂，这个问题不仅是 个理论问题而且对工业生产有实际指导作 用。 碳还原SiO2时有中间产物(SiC和SiO)的 产生，而且SiC和SiO的生成和分解(破坏) 在Si02的还原过程中起重要作用。碳还原 SiO2的总反应式是： SiO2+2C＝Si+2CO △GT0＝707987-363.83T(J／mol) 实际上SiO2的还原反应很多，我们只看 主要反应。炉内主要反应区简单概括为SiC 的生成区及其分解区，如下页图： （1）SiC的生成区 ? SiC的生成温度范围在1000～2100K。在此 区域内也同时生成Si。此区域内的主要反 应是SiO的分解和吸附，并生成SiC。 ? 在1800K以前，为炉料预热和SiC的生成区。 SiO从炉内高温区上升到低温区后与碳作用 生成SiC，反应式: SiO(g)+2C(g)＝SiC(s)+CO(g) △GT0＝-75572-0.54T(J／mol) ? SiO和CO作用生成SiC，反应式： 3SiO+CO＝2SiO2+SiC △GT0＝-1260227-581.13T(J／mol) ? SiO在低温区分解成Si和SiO2。 2SiO＝Si+Si02 △GT0=-630113+290.56T(J／mol) ? 分解出来的硅随着炉料的下降，沉积于炉 底的硅液中。生产中得到的硅约30％以上 是按此反应进行的。 ? 从热力学分析，上述各反应式在任何温度 下都能进行。温度愈低，平衡常数愈大。 在此区域内，SiO通过上层炉料按不同反应 变成SiC、Si和Si02，并沉积于炉料中，随 着炉料的下沉和温度的升高，碳还原Si02生 成SiC的热力学条件成熟，SiO2被还原生成 SiC。 SiO2+3C＝SiC+2CO △GT0＝609849-336.58T(J／mol) SiC生成区及其分解区图示 （2）SiC的分解区 ? 当温度超过2100K时，进入下部高温区(SiC 分解区)。SiC的分解区亦即Si和SiO的生成 区，此区内的主要反应如下： 2Si02(1)+SiC(s)=3SiO(g)+CO(g) △GT0=1260227-581.13T(J／mol) T开=2169K Si02(1)+2SiC(s)=3Si(l)+2CO(g) △GT0=937006-438.19T(J／mol) T开=2138K 上述二式的综合式为： 3SiO2(1)+2SiC(s) ＝Si(1)+4SiO(g)+2CO(g) △GT0=1992636-920.89T(J／mol) T开=2164K ?气态的SiO与SiC相互作用，其反应式是： SiO(g)+SiC(s)=2Si(1)+CO △GT0=306892-147.63T(J／mol) T开=2079K ? SiC的分解和SiO及Si的生成是同时进 行的。这些反应进行时需要消耗大量 的热能，而且当温度大于2100K时，才 能顺利进行。 ? 没有参加反应的SiO离开炉料，在大气 中氧化成Si02。 （3）有铁存在时的反应 此时SiO2还原反应? SiO2+2C+nFe＝[Si]Fen+2CO 随着含硅量的不同，△G变化如下： △G18=625089-366.97T △G45=683495-367.55T △G75=700033-367.13T △G90=700535-362.95T 试验检测Si02开始还原温度与自由能计算 Si02开始还原温度比较： Si02开始还原温度 （K） 种 类 计算温度 实测温度 硅铁18 1703 1723 硅铁18 1860 1873 硅铁18 1917 1964 硅铁18 1930 1958 结晶硅 1946 1963 铁还能破坏Si02还原过程的中间产物： Fe+nSiC＝FeSin+nC 使反应向生成硅的方向移动。此反应在 1400K(1127°C)时开始进行，在1500~1600K 时反应剧烈，生成石墨和硅铁。 计算表明，在1400~2300K范围内，有铁存在时 碳化硅是不稳定的，因为铁破坏碳化硅反应自由 能的变化值为负，见下表： 铁破坏碳化硅反应自由能的变化值 T/K 1400 1500 1600 1700 1800 1900 2000 2100 2200 2300 42.99 46.57 -△G/kJ 12.14 17.95 17.67 23.61 27.63 31.26 37.09 38.91 二.硅铁炉内的温度分布和反应区 预 热 区 熔 池 区 反 应 区 电 弧 区 烧 结 区 还 原 区 反 应 区 分 布 Ⅰ—新料（预热区,低于1300°C）Ⅱ—预热炉料（预热区，1300°C）Ⅲ—烧结区（坩