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SDRAM标识看法 一、 HYUNDAI （现代） 现代的SDRAM芯片上的标识为以下格式： HY 5X X XXX XX X X X X XX -XX HY代表是现代的产品。 5X表示芯片类型，57为一般的SDRAM，5D为DDR SDRAM。 第2个X代表工作电压，空白为5V，V为3.3V, U为2.5V。 第3-5个X代表容量和刷新速度，分别如下： 16： 16Mbits，4K Ref。 64： 64Mbits，8K Ref。 65： 64Mbits，4K Ref。 128：128Mbits，8K Ref。 129：128Mbits，4K Ref。 256：256Mbits，16K Ref。 257：256Mbits，8K Ref。 第6、7个X代表芯片输出的数据位宽，40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。 第8个X代表内存芯片内部由几个Bank组成，1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank。是2的幂次关系。 第9个X一般为0，代表LVTTL（Low Voltage TTL）接口。 第10个X可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新。 第11个X如为L则代表低功耗的芯片，如为空白则为普通芯片。 第12、13个X代表封装形式，分别如下： JC ： 400mil SOJ TC ： 400mil TSOP-Ⅱ TD ： 13mm TSOP-Ⅱ TG ： 16mm TSOP-Ⅱ 最后几位为速度： 7： 7ns （143MHz） 8： 8ns （125MHz） 10p： 10ns （PC-100 CL2 3） 10s： 10ns （PC-100CL 3） 10 ： 10ns （100MHz） 12 ： 12ns （83MHz） 15 ： 15ns （66MHz） 注：例如常见的HY57V658010CTC-10s，HY是现代的芯片，57说明是SDRAM，65是64Mhbit和4K refresh　cycles/64ms，下来的8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。 二、 LGS（LG Semicon Co.,Ltd。） LGS的SDRAM芯片上的标识为以下格式： GM72V XX XX X 1 X X T XX GM代表为LGS的产品。 72代表SDRAM。 第1、2个X代表容量，类似现代，16为16Mbits ，66为64Mbits。 第3、4个X表示数据位宽，一般为4、8、16等，不补0。 第5个X代表Bank ，2对应2个Bank，4对应4个Bank，和现代的不一样，属于直接对应。 第6个X表示是第几人版本的内核，现在至少已经排到E了。 第7个X如果是字母L，就是低功耗，空白则为普通。 T为常见的TSOPⅡ封装，现在还有一种BLP封装出现，为I。 最后的XX自然是代表速度： 7.5：7.5ns （133MHz） 8： 8ns （125MHz） 7K：10ns （PC-100 CL 23） 7J：10ns （100MHz） 10K：10ns （100MHz） 12： 12ns （83MHz） 15： 15ns （66MHz） 注：例如GM72V661641CT7J，这是64Mbit，16 位输出，4个Bank，刚达到PC-100的要求（CL=3）SDRAM。 三、 SEC （Samsung Electronics）SEC 三星的SDRAM芯片的标识为以下格式： KM4 XX S XX 0 X X XT-G/FX KM代表是三星的产品。 三星的SDRAM产品KM后均为4，后面的S代表普通的SDRAM，如为H，则为DDR SDRAM。 S前两个XX表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。 三星的容量需要自己计算一下。方法是用S后的X乘S前的数字，得到的结果即为容量。 0后的第一个X代表由几个Bank构成。2为2个Bank，3 为难个Bank。 0后的第2个X，代表interface，1为SSTL，0为LVTTL。 0后的第3个X与版本有关，如B、C等，但每个字母下又有各个版本，在表面上并不能看得出来。 T为TSOP封装。 速度前的G和F的区别在自刷新时的电流，F需要的电流较G小，相当于一般的低功耗版。 G/F后的X代表速度： 7： 7ns（143MHz） 8： 8ns（125MHz） H： 10ns（PC100 CL23） L： 10ns（PC100CL 3） 10：10ns（100MHz） 注：例如KM416S4031BT-GH，是64Mbit（16*4），16，4个Bank，在100MHZ时CL=2。 四、Micron MT Micron的SDRAM芯片上标识为以下格式