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MOCVD-LED相关知识培训资料 本文由金鱼和飞燕贡献 ppt文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 技术培训 LED相关知识培训资料 相关知识培训资料 1 目录 一、LED及其材料 二、LED的发展简史 三、光学基本知识 四、LED发光原理 五、LED芯片制作 六、LED芯片性能指标 七、LED封装 八、LED应用 2 一、什么是LED？其发光材料是什么？ LED（Light Emitting Diode）即发光二极管，利用半导 （ ）即发光二极管， 结电致发光原理制成的一种半导体发光器件 体的P-N结电致发光原理制成的一种半导体发光器件。 体的 结电致发光原理制成的一种半导体发光器件。 LED具有亮度高、功耗小、寿命长、工作电压低、易小 具有亮度高、 具有亮度高 功耗小、寿命长、工作电压低、 型化等优点。 型化等优点。 其发光材料是化合物半导体，即元素周期表中第Ⅲ 其发光材料是化合物半导体，即元素周期表中第Ⅲ、Ⅴ族 元素以1:1的比例结合而成的 的比例结合而成的。 元素以 的比例结合而成的。 Ⅲ B Al Ga In Tl Ⅳ C Si Ge Sn Pb Ⅴ N P As Sb Bi 3 4 不同的组分，形成不同的LED，发出不同颜色的光，如： 组合名称 GaAs GaP GaN InP Ga（AsP） （ ） （AlGaIn）P ） InGa（AsP） （ ） 比例 1：1 ： 1：1 ： 1：1 ： 1：1 ： 1：（ ：0.5） ：（0.5： ） ：（ ）：1 （0.1：0.4：0.5）： ： ： ）： ：（0.3： （0.2：0.8)：（ ： ： ：（ 0.7） ） 颜色 近红外 红、绿 蓝色 红外 橙红 橙色 中红外 5 二、LED的发展历史 LED 问世于 世纪 年代，起源于美国，在日本发扬光大。 问世于20世纪 年代，起源于美国，在日本发扬光大。 世纪60年代 ?70年代初，美国孟山都化工厂和杜邦化工厂首先研发出GaAsP LED， 年代初，美国孟山都化工厂和杜邦化工厂首先研发出 年代初 ， 可作仪器仪表指示灯用，它们是利用气相外延法制成的。 发桔红 色，可作仪器仪表指示灯用，它们是利用气相外延法制成的。 ? 随着 随着GaAsP/GaAs的质量提高，利用汽相外延法（VPE）和液态外延 的质量提高， 的质量提高 利用汽相外延法（ ） 法（LPE）制作外延材料。发光颜色覆盖从黄绿色到红外的光谱范围 ）制作外延材料。 （565~940nm） ） ? 80年代后，用LPE技术制作 年代后， 技术制作GaAlAs外延层，制作高亮度红色 外延层， 年代后 技术制作 外延层 制作高亮度红色LED和红 和红 外二极管，波长分别为660，880和940nm。随着金属有机化学汽相外延 外二极管，波长分别为 ， 和 。 制成红色、 法（MOVPE）的开发，用新芯片材料 ）的开发，用新芯片材料AlInGaP制成红色、黄色 制成红色 黄色LED光 光 效可达到10lm/w，若采用透明衬底光效可超过 效可达到 ，若采用透明衬底光效可超过20lm/w. 6 90年代通过 年代通过MOVPE研制的第三代半导体材料 研制的第三代半导体材料GaN使蓝、 使蓝、 年代通过 研制的第三代半导体材料 使蓝 绿色LED光效达到 光效达到10lm/w，实现全色化 绿色 光效达到 ， ? 目前，制作高亮度LED的材料主要为 目前，制作高亮度 的材料主要为AlGaAs/AlGaInP 的材料主要为 和GaInN。 。 ?AlGaAs使用于高亮度红光和红外 使用于高亮度红光和红外LED； 使用于高亮度红光和红外 ； ? AlGaInP适用于高亮度红、橙、黄及黄绿 适用于高亮度红、 黄及黄绿LED，用 适用于高亮度红 ， MOVPE制造； 制造； 制造 适用于高亮度深绿、 紫和紫外 ， ? GaInN适用于高亮度深绿、蓝、紫和紫外LED，用 适用于高亮度深绿 MOCVD制造。 制造。 制造 7 8 高效LED发光管正快速成为主流光源 高效 发光管正快速成为主流光源 发 光 效 率 im/W 9 发 光 效 率 发光波长(nm)=1240/E0(eV)(带宽 带宽) 发光波长 带宽 10 三、光学基本知识 1、什么是光？ 光光是一种特殊的电磁波。光具有波粒二象性，又称光子。 λ LED γ 射 线 X 射 线 紫外线 近 红 紫兰青绿黄橙赤 外