ICP-AES分析法中铁基体非光谱干扰效应的机理研究.pdfVIP

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2018-04-07 发布于北京
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ICP-AES分析法中铁基体非光谱干扰效应的机理研究.pdf

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第31卷，第4期光谱学与光谱分析 201 1年4月 and Analysis April，2011 SpectroscopySpectral ICP—AES分析法中铁基体非光谱干扰效应的机理研究刘坤杰，李文军’，李建强，鲁毅强北京科技大学化学与生物工程学院，北京100083 摘要采用电感耦合等离子体发射光谱法研究了浓度为o～5nag·mL-1的铁基体的非光谱干扰效应。通过计算f：扰函数各项的数值及考察各项数值与铁基体浓度的对应关系，初步探讨了铁的非光谱干扰的一些规律，发现铁基体浓度变化对激发温度、电子数密度和|乜离度并无显著影响，绝大部份分析元素谱线的活度系数项都随铁基体浓度升高而降低，而干扰函数各项对于扰函数的贡献情况，则因离子线和原子线『flj异。造成这种情况的原因在于二者的电离因子项存在明显的差别。关键词电感耦合等离子体发射光谱法；基体效应；非光谱干扰；活度系数中图分类号：0657．3文献标识码：A DOl：10．3964／j．issrL1000-0593(2011)04—1110-05 引言其中，下标I和Ⅱ分别表示原子线和离子线。有上标…”的是电感耦合等离子体发射光谱法分析中，基体干扰可分为有干扰物质存在时的参数。J为谱线强度，y为活度系数，p 光谱干扰和非光谱干扰。后者是指已分辨开的分析信号因干 ×10|26 kJ·mol～，T为绝对温度，E为激发能。z为电离扰物的存在而增强或减弱的效应。与光谱干扰一样是ICP- 度，由下式计算 AES的重要研究课题。但是非光谱干扰不具有加合性，其机 z=ki／oki+”。) (3) 理和行为都要比光谱干扰复杂得多。在这些方面研究最多的其中r／。为电子数密度。危为saha电离常数，其计算公式为是某些无机酸类L。“、碱金属等易电离元素(EIE)、某些碱土 (4) 金属和稀土元素等‘5121，而对其他元素基体的研究则相对较 ki：4．83×1021￡T吾×lo_竺争少。式中，Em为电离能，z和z+分别为原子及离子配分函数，其他符号意义间前。 IcP—AEs的非光谱干扰可用干扰因子log÷表示，其 ……～“。“。半f互岩一互茹』、称为130lt：m皿因子项。中J7和J分别为有干扰物质和无干扰物质存在时的分析谱线七I丁丁7 J’”” 强度，二者均已扣除了光谱干扰。干扰因子是活度系数y、 109号称为活度系数项。log号称为离解因子项。log詈和温度T、电离度z，离解度风原子气化热及谱线激发能的函 1一一，数，有如下的函数形式[13]： 109}兰称为电离因子项。原子线文献[14]认为对干扰因子贡献最大的是活度系数项。本