光学声子对aln 2fgan量子阱中电子迁移率的影响.docxVIP

内蒙古大学硕士毕业论文光学声子对舢Ｎ／ＧａＮ量子阱中电子迁移率的影响摘要本文在介电连续模型和单轴模型的框架下，采用雷一丁平衡方程理论，考虑有限深量子阱中界面光学声子模和局域体光学声子模的影响，分别计算了纤锌矿型和闪锌矿型ＡＩＮ／ＧａＮ量子阱中电子平行于异质结界面方向的迁移率，并给出迁移率随阱宽及温度的变化关系．利用弗留里希矩阵元处理电子一声子相互作用，给出了量子阱结构中局域体光学声子模和界面光学声子模散射下电子的迁移率．数值计算结果表明，结构各向异性效应强烈地影响着电子的迁移率，使得纤锌矿较闪锌矿量子阱中电子的迁移率低许多．考虑由于结构不同所带来电子的有效质量、材料介电常数、带阶及声子频率的差异对电子迁移率的影响，发现电子有效质量的变化起主导作用，而其它因素的影响较小．结果还表明，两类声子对电子迁移率的影响分别在不同阱宽时起主要作用：在宽阱时，局域体声子起主要作用，随着阱宽变窄，界面声子的影响逐渐增强，而局域体声子的影响逐渐减弱，当阱窄到一临近值之后，界面声子模起主要作用．此外，在纤锌矿Ａ１Ｎ／ＧａＮ量子阱中，相对于高频界面声子，低频界面声子与电子的相互作用非常弱，故对电子的迁移率几乎不起作用．但在闪锌矿Ａ１Ｎ／ＧａＮ量子阱中，这两支界面声子对迁移率均有贡献．关键词：迁移率，光学声子模，量子阱，纤锌矿，闪锌矿，ＡＩＮ／ＧａＮ内蒙古大学硕士毕业论文ｏＰＴＩＣＡＬＰＨＯＮｏＮＩＮＦＬＵＥＮＣＥＯＮＴＨＥＭｏＢＩＬＩＴＹｏＦＥＬＥＣＴＲＯＮＳＩＮＡｌＮ／ＧａＮＱＵＡＮＴＵＭＷＥＬＬＳＡＢＳＴＲＡＣＴＢａｓｅｄｏｎｔｈｅｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｃｏｎｔｉｎｕｕｌｎｐｈｏｎｏｎｍｏｄｅｌ，ｕｎｉａｘｉａｌｍｏｄｅｌａｎｄＬｅｉ－Ｔｉｎｇｂａｌａｎｃｅｅｑｕａｔｉｏｎ，ｔｈｅｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｍｏｂｉｌｉｔｙｐａｒａｌｌｅｌｔｏｔｈｅｉｎｔｅｒｆａｃｅｓｆｏｒｗｕｒｔｚｉｔｅ（ＷＺ）ａｎｄｚｉｎｃｂｌｅｎｄｅ（ＺＢ）Ａ１Ｎ／ＧａＮｑｕａｎｔｕｍ－ｗｅｌｌ（Ｑｗ）ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓｉｓｄｉｓｃｕｓｓｅｄｂｙｔａｋｉｎｇｔｈｅｉｎｆｌｕｅｎｃｅｏｆｃｏｎｆｉｎｅｄａｎｄｉｎｔｅｒｆａｃｅｐｈｏｎｏｎｍｏｄｅｓｉｎｔｏａｃｃｏｕｎｔ．Ｔｈｅｄｅｐｅｎｄｅｎｃｅｏｆｔｈｅｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｍｏｂｉｌｉｔｙｏｎｗｅｌｌｗｉｄｔｈａｎｄｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｉｓｐｒｅｓｅｎｔｅｄ．Ｔｈｅｅｌｅｃｔｒｏｎ－ｐｈｏｎｏｎｉｎｔｅｒａｃｔｉｏｎｉｓｄｅａｌｔｗｉｔｈｔｈｅＦｒｆｈｌｉｃｈｍａｔｒｉｘｔｏｏｂｔａｉｎｔｈｅｍｏｂｉｌｉｔｙｓｃａｔｔｅｒｅｄｂｙｔｈｅｃｏｎｆｉｎｅｄｏｐｔｉｃａｌｐｈｏｎｏｎｍｏｄｅｓａｎｄｔｈｅｉｎｔｅｒｆａｃｅｏｐｔｉｃａｌｐｈｏｎｏｎｍｏｄｅｓｉｎｔｈｅｓｅＱＷｓ．Ｉｔｉｓｓｈｏｗｎｆｒｏｍｔｈｅｃｏｍｐｕｔｅｄｒｅｓｕｌｔｓｔｈａｔｔｈｅｉｎｆｌｕｅｎｃｅｏｆｔｈｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅａｎｉｓｏｔｒｏｐｙｏｎｔｈｅｍｏｂｉｌｉｔｙｉｓｏｂｖｉｏｕｓ，ａｎｄｔｈｅｔｏｔａｌｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｍｏｂｉｌｉｔｙｉｎａＷＺＱＷｉｓｌｏｗｅｒｏｂｖｉｏｕｓｌｙｔｈａｎｔｈａｔｉｎａＺＢｏｎｅ．Ｉｎｃｏｎｓｉｄｅｒａｔｉｏｎｏｆｓｔｒｕｃｔｕｒｅｉｎｆｌｕｅｎｃｅｏｎｔｈｅｅｌｅｃｔｒｏｎｅｆｆｅｃｔｉｖｅｍａｓｓ，ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｃｏｎｓｔａｎｔｓ，ｂａｎｄｏｆｆｓｅｔｓｂｅｔｗｅｅｎｔｈｅｗｅｌｌａｎｄｂａｒｒｉｅｒｍａｔｅｒｉａｌｓ，ａｎｄｐｈｏｎｏｎｆｒｅｑｕｅｎｃｉｅｓｔｏｃｈａｎｇｅｔｈｅｍｏｂｉｌｉｔｙ，ｉｔｉｓｆｏｕｎｄｔｈａｔｔｈｅｖａｒｉａｔｉｏｎｏｆｅｌｅｃｔｒｏｎｅｆｆｅｃｔｉｖｅｎｌａｓｓｐｌａｙｓａｖｅｒｙｉｍｐｏｒｔａｎｔｒｏｌｅ，ｗｈｉｌｅｔｈｅｏｔｈｅｒｆａｃｔｏｒｓａｒｅｌｅｓｓｉｍｐｏｒｔａｎｔ．Ｔｈｅｎｕｍｅｒｉｃａｌｒｅｓｕｌｔｓａｌｓｏｓｈｏｗｔｈａｔｔｈｅｔｗｏｋｉｎｄｓｏｆｐｈｏｎｏｎｓｍａｉｎｌｙｉｎｆｌｕｅｎｃｅｔｈｅｍｏｂｉｌｉｔｙａｔｄｉｆｆｅｒｅｎｔｗｅｌｌｗｉｄｔｈ，ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ：ｔｈｅｃｏｎｆｉｎｅｄｍｏｄｅｓｈａｖｅｔｈｅｍａｉｎｒｏｌｅｏｎｔｈｅｔｏｔａｌｍｏｂｉｌｉｔｙｆｏｒｗｉｄｅｒＱＷｓ，ａｓｔｈｅｗｅｌｌｗｉｄｔｈｄｅｃｅａｓｅｓ，ｔｈｅｓｃａｔｔｅｒｉｎｇｆｒｏｍｔｈｅｉｎｔｅｒｆａｃｅｐｈｏｎｏｎｓｂｅｃｏｍｅｓｓｔｒｏｎｇｅｒ，ａｔｔｈｅｓａｍｅｔｉｍｅｔｈｅｓｃａｔｔｅｒｉｎｇｆｒｏｍｃｏｎｆｉｎｅｄｐｈｏｎｏｎｓｂｅｃｏｍｅｓｗｅａｋｅｒ．Ｔｈｅｃｏｎｔｒｉｂｕｔｉｏｎｆｒｏｍｉｎｔｅｒｆａｃｅｐｈｏｎｏｎｍｏｄｅｓｉｓｄｏｍｉｎａｎｔｗｈｅｎｔｈｅｗｅｌｌｗｉｄｔｈｄｅｃｒｅａｓｅｓｂｅｌｏｗａｃｒｉｔｉｃａｌｖａｌ