国家标准《硅抛光片表面颗粒测试方法》.docVIP

国家标准《硅Haze(雾)。 因此现在的SSIS已经可以探测镜面晶片上几乎所有类型的缺陷。随着硅片抛光和外延工艺的不断进步，晶片表面其他大面积缺陷，像划伤、桔皮、波纹、棱锥、堆垛层错等等数量上也越来越少了。更多的还是颗粒或者COP。习惯上我们所有这些表面缺陷粗略的统称为颗粒。在标准名称上我们也沿用了这一习惯。 由于本方法本身是相对测量，且晶片表面的外来的凸起颗粒、晶体缺陷或加工中带来的凹坑、划痕等等各种缺陷都会带来入射光的散射、反射；而不同厂家、不同型号或不同级别的检测设备在设计、结构、信号处理等各个方面的差异都可能反映在检测结果上。因此如何保证测量的重复性、保证测量结果的相对准确性以及各个厂家、不同类型的颗粒仪进行比对变成了当前迫切需要解决的问题。现行标准已有十年的标龄，检测设备的不断发展改进，也使得测试方法中的部分适用范围、干扰因素、参考样品、校准方法、测量步骤及重复性、准确性等都需要修订。因此迫切需要修订原标准，使之保持先进性，对实践起到指导作用。 该标准标龄已超过十年，原标准制定时我们征求了当时两个主要设备生产商KLA-TENCOR和ADE的意见，在审定时他们分别派人到会，给了我们非常有力的技术支持。十年来，本标准涉及的SSIS设备有了很大的发展和改进，涉及的SEMI标准也有很大改变，我们结合对这四个标准SEMI标准的理解，站在使用者的角度，在原标准的基础上总结归纳，提出了该标准的修订意见。 2.任务来源 根据国标委综合[]52号文件《关于下达201年第批国家标准修制定计划的通知》，由有研半导体材料有限公司负责国家标准《》的制定工作。 —1114、SEMI M50—1115、SEMI M52—0214、SEMI M53—0310充分理解的基础上，结合多年来国内外用户对硅片表面颗粒的要求和测试实践，修改了本标准。 2016年3月，将本标准的草稿邮件给各相关单位征求意见； 2016年月日，由全国组织，在召开《》标准会，共有上海合晶硅材料有限公司、等单位参加了本次会议。：……本标准适用于……的编写格式重新组织范围的内容……描述。并重新排列第6章的顺序号； 5、删除”6.1.6整体系统可靠性要求”、和”6.2在规定的设置条件下，测量应有足够的重复性。” 6、另加一章“7 环境要求”，将“6.3　表面扫描检查系统应置于符合要求的洁净环境中。应根据扫描表面检查系统（SSIS）的要求及被测颗粒的尺寸，确定洁净环境的级别。安装SMIF系统的可以适当的降低放置环境。推荐使用4级或更高级别的洁净间及相应的SMIF系统。”，移至7环境中。后面的章节号相应调整。 7将10 报告与11 精密度顺序互换，并将报告中的内容改为以英文字母顺序分别表示。 8 完成附录C和D的内容，并根据其D的内容考虑与7参考样片、8校准中内容的修改。 根据讨论会的纪要，我们又对SEMI 相关标准进行了更深入的分析，结合不同类型设备的设置、校准、测试情况，对本标准进行修改，形成了预审稿。 2017年月日，由全国组织，在召开《》标准会，共有、等个单位位参加了本次会议。现将会议讨论结果纪要如下：与原标准相比本标准建议为国际水平。 《》 重大分歧意见的处理经过和依据。 无 标准作为强制性标准或推荐性标准的建议 建议本标准作为推荐性国家标准发布实施。 代替或废止现行有关标准的建议 本标准颁布后，代替原标准GB/T19921-2005。 其他需要说明的事项 本标准为修订标准，该标准的主要目的是规范晶片表面颗粒等缺陷的测试条件，便于供需双方对产品要求的判定，有利于不同设备间的比对。 本标准在名称上叫硅片表面颗粒检测标准，但在标准里适用范围为无图形的镜面晶片，即不仅仅适用于硅的抛光片和外延片，但目前主要应用于硅片，原因是目前硅片的用量远远大于其他晶片。 另外，为了更好的帮助使用者了解校准方面的内容以及正确的评价设备，我们将SEMI 53和SEMI 50的内容作为附录提供。 预期效果 本标准的修订和推广，将进一步规范抛光片和外延片上颗粒、划痕、COP等各种肉眼无法看到的微小缺陷的测试，是目前表面颗粒或COP的缺陷唯一的辨别手段。随着集成电路线宽尺寸的不断变小，抛光片或外延片表面的微小颗粒和COP等的识别和判定已经成为关键指标，本标准的实施将更加有利于供需双方对产品的确认，减少因测试设备、设置、校准等一系列问题带来的差异，避免带来晶片的质量问题，也将有利于硅片质量的提高和加工工艺的改进，同时本标准还给出了200mm直径用于130nm到45nm4种线宽规格及300mm直径用于130nm到11nm线宽9种线宽的SSIS的测试设置建议。为我国集成电路衬底的发展提供了前瞻性的指导作用。也为除硅之外的锗或其他材料的晶片的表面颗粒测试提供了测试依据。 《》国家标准编制小组