电路设计5874597897.docVIP

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电路设计5874597897

MOS输出特性(I/V特性) 图1.1 网表描述: * SPICE netlist written by S-Edit Win32 7.03 * Written on Sep 29, 2011 at 13:49:40 * Waveform probing commands .probe .options probefilename=MOS.dat + probesdbfile=E:\1\mos作业 \M.sdb + probetopmodule=M * Main circuit: Module0 M1 1 Vin Gnd Gnd NMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24u R2 Vdd 1 50 TC=0.0, 0.0 * End of main circuit: Module0 仿真结果: 图1.2 基本恒流源电路 图2.1 其中, 为参考电流, 为输出电流,MOS管工作在饱和区,当MOS管M2 的, 则M2 工作在饱和区。可求得 与 的关系式为: 考虑到各器件工艺条件相同,其本证导电因子相同,阈值电压也相同。 网表描述: * HSPICE SIMULATION FILE EX2 .option post=2 numdgt=7 tnom=27 *.OPTIONS Simple MOS Current Mirror M1 1 1 0 0 nch l = 1u w = 5u M2 2 1 0 0 nch l = 1u w = 5u I1 0 1 DC 10u V1 3 0 DC 0 V_I2 3 2 DC 0 .MODEL nch NMOS VTO=0.7 KP=110U LAMBDA=0.04 GAMMA = 0.4 PHI = 0.7 *.dc V1 0 5 .1 I1 10u 80u 10u .dc V1 0 5 .1 .END 仿真结果: 图2.2 高输出阻抗恒流源电路 图3.1 网表描述: * HSPICE SIMULATION FILE EX3 .option post=2 numdgt=7 tnom=27 *.OPTIONS High output impedance MOS Current Mirror M1 1 1 0 0 nch l = 1u w = 5u M2 2 1 0 0 nch l = 1u w = 5u M3 3 3 1 1 nch l = 1u w = 5u M4 4 3 2 2 nch l = 1u w = 5u IR 0 3 DC 10u V1 5 0 DC 0 Vout 4 0 DC 0 .MODEL nch NMOS VTO=0.7 KP=110U LAMBDA=0.04 GAMMA = 0.4 PHI = 0.7 *.dc V1 0 5 .2 IR 10u 100u 10u .dc V1 0 5 .2 .END 仿真结果: 图3.2 电流源负载的共源放大器 图4.1 网表描述: * SPICE netlist written by S-Edit Win32 7.03 * Written on Sep 29, 2011 at 14:09:26 * Waveform probing commands .probe .options probefilename=sedit.dat + probesdbfile=E:\1\mos作业\电流源.sdb + probetopmodule=电流源 * Main circuit: 电流源 M1 Vout Vin Gnd Gnd NMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24u i2 Vdd Vout 5uA * End of main circuit: 电流源 仿真结果: 图4.2 5、共源共栅放大器 VGS1-VTH1 VDD RD VOUT Vb Vin VGS2-VTH2 M2 M1 图5.1 网表描述: *HPICE SIMULATION FILE EX5 .OPTION POST=2LIST *Common Cascode Amplifier M1 2 1 0 0 l= 1u w=4.26u M2 5 4 3 3 l= 1u w=5.57u RD 6 5 ibias 5 0 dc 150u *rset 5 0 11.33k vdd 6 0

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