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SiGe沟道P-MOSFET器件的研究 李开成 刘道广 张静 文尧 易强 信息产业部电子二 卜四所 模拟集成电路国家重点实验室 重庆南坪花园路14号 (邮编:400060) 摘要 在本研究I作中，利川我所生产的SiGe利半”，研制SiGc沟道P-MOSFET器件。初步的 研究结果表明，SiGe沟道PMOSFEf器件的跨导比计沟遒PMOSFET器件的跨导高。如果在器 件I_艺采取进一步的改进措施，制作性能更好的SiGePMOSFET是完全可能的。 1.引言 随着SiGe材料研究的成熟，SiGe材料获得了愈来愈多的用途。它不仅J泛‘应用于SiGe HBT器件，也应用于SiGe合金沟道P-MOSFET器件中。由于表面散射的影响，表面沟道MOs 器件的沟道载流子迁移率远低于体迁移率，这对于电流驱动能力的提高显然是不利的。因 为空穴迁移率本身就远小F.电子，所以这个问题在P-MOSFEI中就显得十分突出。为此，1991 年，D.K.Nayak和V.P.Kesan将si卜XGe、合金沟道引入P-MOSFEI、中，利用Si,_%Ge、合金材 料与S、能带的不连续性而引起的V子阱效应，有效地提高了器件的沟道空穴迁移率，从 而获得了较高的电流驱动能力和跨V[1,2,31.1996年，M.Arafa等人用超高真空化学 汽相淀积法制造出了栅长分别为 0.7u。和 1.Oum的 SiGePMOS场效应品体管，跨导为 105ms/mm(300K)[41。同年，KaushikBhaumik等人)}j分子束外延 (MBE)法制造出栅长 为0.2umSiGePMOSFET,测试结果表明，该器件的饱和跨导 }m}a，比相同结构和相同几何 尺寸的Si器4f高20%一50%[51 笔者研究的项日是，SiGe合金沟道PMOSFET.首先用分子束外延设备连续生长SiGe层 和Si层 (如图I所?il).然后再进行PMOS !_艺的步骤。具体的1艺制作过程将在 卜文给 予说明。实验样品的测量结果表明，SiGePMOSPET器件具有较高的跨导。 2 材料与器件工艺 木研究所用的衬底材料为n)V(100)硅，电阻率为6-90 ·cm。土要设各为法国Riber 公司SIVA-32RD分子束外延设各。其极限真空度达4.0X10-Torr。外延时硅的生长 ! ! 1 速率为2A/s.锗的生长速率为D.5A/s; . . . . . 土要的 !_艺过程包括: . . (1)分f束外延 {_艺前的清洗，去除各种杂质和沾污。 . j (2)利用分子束外延 (MBE)设备生长连续n型SiGe外延层和n刑Si层。如图2(a) w e .