浅面浮雕矩形台面垂直腔面发射半导体激光器.PDFVIP

第 卷 第 期 中 国 激 光 ， ４１ １２ Ｖｏｌ．４１ Ｎｏ．１２ 　 　 　 　 年 月 ， ２０１４ １２ 犆犎犐犖犈犛犈犑犗犝犚犖犃犔犗犉犔犃犛犈犚犛 犇犲犮犲犿犫犲狉 ２０１４ 浅面浮雕矩形台面垂直腔面发射半导体激光器 ， ， １２ １ １２ １ １ １ １ 李秀山 宁永强 贾 鹏 陈泳屹 张 星 张建伟 张 建 　 　 　 　 　 　 　 　 　 １ １ １ 刘 云 秦 莉 王立军 　 　 　 　 １ 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室，吉林 长春 １３００３３ （ ２ 中国科学院大学，北京 １０００３９ ） 摘要 为实现垂直腔面发射半导体激光器（ ）大功率窄线宽输出，设计了浅面浮雕矩形台面结构的垂直腔面 ＶＣＳＥＬ 　 发射激光器（ ）。电流密度分布会影响模式的分布，模拟结果表明，矩形台面 相比于圆形台面 ＳＲＶＣＳＥＬ ＶＣＳＥＬ ＶＣＳＥＬ，在有源区面积增大的情况下，电流密度分布不变。在矩形台面 ＶＣＳＥＬ出光孔表面刻蚀浅面浮雕后，高阶 模式比基模的阈值增益的变化大，基模对高阶模式的抑制增强。理论结果表明矩形浅面浮雕结构的ＶＣＳＥＬ能够 实现对高阶模式的抑制，测试结果得到连续输出为 ，光谱宽度为 ，功率偏振度为 ，横向模式抑制 ５．８７ｍＷ ０．１ｎｍ １０ 比超过 ３０ｄＢ的窄线宽输出。 关键词 激光器；半导体激光器；矩形台面；浅面浮雕 　 中图分类号 文献标识码 ： ／ ＴＮ２４８．４ Ａ 犱狅犻１０．３７８８犆犑犔２０１４４１．１２０２００５ 　 　　　 　 　　　 犚犲犮狋犪狀狌犾犪狉犕犲狊犪犛犺犪犲犱犞犲狉狋犻犮犪犾犆犪狏犻狋 犛狌狉犳犪犮犲犈犿犻狋狋犻狀 犵 狆 狔 犵 犔犪狊犲狉狑犻狋犺犛犺犪犾犾狅狑犛狌狉犳犪犮犲犚犲犾犻犲犳 ， １２ １ １ １ １ 犔犻犡犻狌狊犺犪狀 犖犻狀 犢狅狀 犻犪狀 犑犻犪犘犲狀 犆犺犲狀犢狅狀 犻 犣犺犪狀 犡犻狀