SiO2单晶在干摩擦条件下摩擦磨损机理研究.pdfVIP

第28卷 专 辑 中国矿业大学学报 V92..1 Monograph 1999年 10月 JournalofChinaUniversityofMining改Technology Oct.1999 S102单晶在干摩擦条件下摩擦磨损机理研究 ‘ 徐眺 田军 薛群基 (中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑月放实验室 甘肃兰州 ;s}oOOJ 摘要 对Si0,单晶与Si,N.在干摩擦条件下的摩擦学特性进行了考察，并用JSM-56001.V扫描 电子显微镜对Si0:单晶表面摩擦轨迹的微观结构进行了研究，研究结果表明:在低负荷、干摩擦 条件下，Si0:单晶与Si,N,摩擦时，Si0:单晶的磨损由轻微到严重磨损可分为3个阶段，其磨损 机理为塑性剪切“塑性剪切于磨拉磨损、脆性断裂. 关键词 Si0:单晶，扫描电镜，摩擦磨损 中图分类号 TH117.1 第一作者简介 徐 洗，男，1965年生 博士研究生 陶瓷材料具有耐高温、耐磨损、耐腐蚀等优异 切割后，制成尺寸为20。二X20mmX3mm的薄