SnO2AgSnO2结构室温H2S敏感特性研究.pdfVIP

2000年10月 ·广西 ·北海 论第七届全国固体薄膜学术会议 Sn仇-Ag-Sn02结构室温H2S敏感特性研究· 戴国瑞 童茂松 高鼎三 (吉林大学电子工程系、集成光电子国家重点联合实验室.长春，130023) 摘要:报道了采用PECVD技术制备的SnO2-Ag-Snq结构薄膜，在20℃下对H2S具有良好 的气敏特性，即高灵敏度、良好的选择特性和开关式响应特性。 关健词:PECVD H2S气体传感器 1 引言 近年来，随着对环境污染的关心、整治和对监控有毒、有害气体的日益认识，引起了人 们对CO,C02,NO,,NH3,H2S,S02等气体敏感材料的巨大兴趣。半导体敏感材料由于 具有相对高的灵敏度、选择特性和稳定性而倍受关注。H2S气体是一种毒害性极强的空气 污染物，不仅对工业生产有影响，而且严重威胁人类和其它生物的生存。日常生活中H2S 气体的允许浓度仅为104，因此研制对低浓度H2S敏感的材料就成为当务之急1【1。目前在SnO2 基休材料中添加Cu0能得到高灵敏度和高选择性的H2S敏感材料，但是这种材料有很大的 缺点，即工作温度高而且响Weir比较慢 (长达7分钟)，这些缺点都严重限制了该材料的 实际应用24‘1。本实验首次采用P