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晶体的生长模式 晶体的生长过程一般认为有三个阶段：首先是溶液或气体达到过饱和状态或 过冷却状态，然后整个体系中出现瞬时的微细结晶粒子，这就是形成了晶核， 最后这些粒子按照一定的规律进一步生长，成为晶体。科学家已经发现了晶体 生长的多种模式，其中较为重要的是层生长模式和螺旋生长理论。 晶体生长理论简介 自从1669 年丹麦学者斯蒂诺(N.Steno)开始研究晶体生长理论以来，晶体生 长理论经历了晶体平衡形态理论、界面生长理论、PBC 理论和负离子配位多面 4 体生长基元模型 个阶段，目前又出现了界面相理论模型等新的理论模型。现 代晶体生长技术、晶体生长理论以及晶体生长实践相互影响，使人们越来越接 近于揭开晶体生长的神秘面纱。 下面简单介绍几种重要的晶体生长理论和模型。 . Law of Bravais Gibbs Wulff 晶体平衡形态理论：主要包括布拉维法则（ ）、 — BFDH ( Donnay-Harker ) Frank 生长定律、 法则 或称为 原理 以及 运动学理论等。 晶体平衡形态理论从晶体内部结构、应用结晶学和热力学的基本原理来探讨晶 体的生长，注重于晶体的宏观和热力学条件，没有考虑晶体的微观条件和环境 相对于晶体生长的影响，是晶体的宏观生长理论。 .界面生长理论：主要有完整光滑界面模型、非完整光滑界面模型、粗糙界面 模型、弥散界面模型、粗糙化相变理论等理论或模型。界面生长理论重点讨论 晶体与环境的界面形态在晶体生长过程中的作用，没有考虑晶体的微观结构， 也没有考虑环境相对于晶体生长的影响。 .PBC 1952 P Hartman W G Perdok （周期键链）理论： 年， ． 、 ． ． 提出， F K S BC 把晶体划分为三种界面： 面、 面和 面。 理论主要考虑了晶体的内部结 构——周期性键链，而没有考虑环境相对于晶体生长的影响。 .负离子配位多面体模型：1994 年由仲维卓、华素坤提出，将晶体的生长形 态、晶体内部结构和晶体生长条件及缺陷作为统一体加以研究，考虑的晶体生 长影响因素全面，能很好地解释极性晶体的生长习性。 .界面相理论模型：2001 年，高大伟、李国华认为，晶体在生长过程中，位 于晶体相和环境相之间的界面相可划分：界面层、吸附层和过渡层；界面相对 晶体生长起着重要作用。 从晶体平衡形态理论到负离子配位多面体生长基元模型，晶体生长理论在不 断地发展并趋于完善，主要体现在以下几个方面：从宏观到微观，从经验统计 分析到定性预测，从考虑晶体相到考虑环境相，从考虑单一的晶体相到考虑晶 体相和环境相。晶体生长的定量化，并综合考虑晶体和环境相，以及微观与宏 观之间的相互关系是今后晶体生长理论的发展方向 层生长理论 层生长理论是论述在晶核的光滑表面上生长一层原子面时，质点在界面上进 入晶格座位的最佳位置是具有三面凹入角的位置。质点在此位置上与晶核结合 成键放出的能量最大。因为每一个来自环境相的新质点在环境相与新相界面的 晶格上就位时，最可能结合的位置是能量上最有力的位置，即结合成键时应该 是成键数目最多，是放出能量最大的位置。所以晶体在理想情况下生长时，先 长一条行列，然后长相邻的行列。在长满一层面网后，再开始长第二层面网。 层生长理论认为：晶体的生长是质点面网一层接一层地不断向外平行移动的 结果 螺旋生长理论 螺旋生长理论认为：在晶体生长界面上螺旋位错露头点所出现的凹角及其延 伸所形成的二面凹角可作为晶体生长的台阶源，促进光滑界面上的生长。这样 就解释了层生长理论所不能解释的现象，即晶体在很低温的过