模拟电子技术 第四章 场效应管及其基本放大电路 查丽斌.pptx

模拟电子技术基础Fundamentals of Analog Electronics ;第4章 场效应管及其基本放大电路 ;FET分类; 场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d）， 对应于晶体管的：e、 b、 c； ;N沟道增强型MOS管 ;1. 结构; uGS增大，反型层（导电沟道）将变厚变长。当反型层将两个N区相接时，形成导电沟道，增强型;iD;N沟道增强型MOS管的输出特性曲线; uDS一定，uGS变化时;（1）输出特性曲线;;;4.1.2 耗尽型MOS管 ;2．伏安特性;1)增强型MOS管;; ;即典型的Q点稳定电路;3. 分压式偏置电路; ;【例4.2.4】图4.2.7所示电路中P沟道增强型MOSFET的参数为：Uth =－0.8V，Kp = 0.2mA/V2。求UGSQ，UDSQ，IDQ。;在线性电阻区 ;1．场效应管的微变等效电路;1．场效应管的微变等效电路;1．场效应管的微变等效电路;输出电阻分析; ; ;; ;4.2.4 共漏极放大电路的动态分析;由于;4.2.4 共漏极放大电路的动态分析;;导电沟道;;uGS＞UGS（off）且不变，VDD增大，iD增大。;;夹断电压;; ;问题：uGS=0可工作在恒流区的场效应管有哪几种？ 只有uGS＞0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种？ 只有uGS＜0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种？ ;各种场效应管的特性比较（1） ;各种场效应管的特性比较（2） ;各种场效应管的特性比较（3） ;结构类型 ;例：已知某场效应管的输出特性曲线如图所示。试分析该场效应管是什么类型的场效应管（结型、绝缘栅型、N沟道、P沟道、增强型、耗尽型）。;讨论：利用图示场效应管组成原理性共源放大电路。;4.4.2 MOSFET与双极型晶体管的比较;4.4.2 MOSFET与双极型晶体管的比较;组态对应关系：;; 解：;则电压增益为;掌握场效应管的内部结构、主要参数；熟悉场效应管工作在恒流区域的外部条件，转移特性曲线、输出特性曲线。 熟悉场效应管工作在恒流区时，漏极电流iD的表达式。 熟悉场效应管的交流等效电路，掌握共源、共漏放大电路接法的静态工作点计算（包括估算法和图解法）、放大电路的微变等效电路画法、熟悉动态参数Au、Ri、Ro的计算。 （注：熟悉级别最高，其次掌握，然后理解，最后了解）