电磁学实验-----锑化铟.pptVIP

1 磁阻效应实验仪一套、导线若根，信号数据线一根 电磁学实验——InSb磁电阻传感器特性测量 丛伟艳 空间科学与物理学院 项目意义 通过测量处于变化的磁场中的锑化铟传感器的阻值，加深对磁阻这一概念的理解，了解锑化铟随外加磁场强度的变化的规律。 通过实验，了解磁阻效应的物理机理。 完成项目所需硬件 技术路线 磁性金属和合金一般都有磁电阻现象，所谓磁电阻是指在一定磁场下电阻改变的现象。 锑化铟性质：锑和铟的化合物。具闪锌矿型结构的晶体。金属锑和铟在高温熔合而得。重要的半导体材料之一。经熔炼提纯的单晶，可制成具有特殊性能的红外探测器件等。 磁阻器件应用于数字式罗盘、交通车辆检测、导航系统、伪钞检测、位置测量等方面。 通常以电阻率的相对改变量来表示磁阻的大小，即Δρ/ρ（0）。 其中Δρ=ρ（B）-ρ（0）。由于ΔR/R（0）正比于Δρ/ρ（0），因此也可以用ΔR/R（0）来表示磁阻效应的大小。 技术路线 实验证明，当金属或半导体处于较弱磁场中时，一般磁阻传感器电阻相对变化率ΔR/R（0）正比于磁感应强度B的平方，而在强磁场中ΔR/R（0）与磁感应强度B呈线性关系。 若外界交流磁场的磁感应强度B为  B=B0COSωt （1）  设在弱磁场中 ΔR/R(0)=KB2 （2） 由（1）式和（2）式可得： R(B)=R(0)+ΔR =R(0)+R(0)×[ΔR/R(0)] =R(0)+R(0)KB02COS2ωt =R(0)+R(0)KB02+R(0)KB02COS2ωt 倍频特性 技术路线 技术关键 确定流过锑化铟的电流强度。 主回路电源的性质。 仪器构件介绍 仪器构件介绍 GaAs InSb 实验步骤及内容 按照电路图正确连接电路。 调节锑化铟电流的输出，确定电路中锑化铟的电流强度。 调节励磁电流，测量通过InSb两端的电压值。 计算InSb阻值 350 ……… 60 ……… … … 0 0 ΔR/R(0) R/Ω B/mT U/mv IM/mA B~ΔR/R(0)对应关系 InSb 电磁铁 取样电阻R= , 电压U= ；求出电流I=U/R= mA; 实验步骤及内容 注意事项 实验时注意InSb传感器工作电流应小于3 mA。 InSb电流调节时，要做到“慢”“稳”，防止数字电压表失控。 调节电磁铁直流电源的电流时，要做到“慢”“稳”，禁止往复地调。 B60mT时，取点要密，B60mT时取点可疏； 实际操作时，直流电源I，不能超过350mA； 注意毫特计的调零。