模拟电子技术基础,清华大学出版第3章 场效应管.ppt

3.1.1 JFET的结构和工作原理 1、结构 图示为N沟道结型场效应管的结构与符号，结型场效应管符号中的箭头，表示由P区指向N区。 （1）当栅源电压uGS=0时，两个PN结的耗尽层比较窄，中间的N型导电沟道比较宽，沟道电阻小，如图所示。 （2）当uGS0时，两个PN结反向偏置，PN结的耗尽层变宽，中间的N型导电沟道相应变窄，沟道导通电阻增大，如图所示。 （3）当UGS(off) uGS≤0且uDS0时，可产生漏极电流iD。 iD的大小将随栅源电压uGS的变化而变化，从而实现电压对漏极电流的控制作用。 uDS的存在，使得漏极附近的电位高，而源极附近的电位低，即沿N型导电沟道从漏极到源极形成一定的电位梯度，这样靠近漏极附近的PN结所加的反向偏置电压大，耗尽层宽；靠近源极附近的PN结反偏电压小，耗尽层窄，导电沟道成为一个楔形，如图所示。 综上所述，可得下述结论： （1）JFET栅极、沟道之间的PN结是反向偏置的，因此其iG 约等于零，输入电阻的阻值很高； （2）JFET是电压控制电流器件，iD受uGS控制； （3）预夹断前，iD与uDS呈近似线性关系，预夹断后，iD趋于饱和。 3.1.2 JFET的特性曲线 图示即为N沟道场效应管的输出特性曲线，它与NPN型三极管的输出特性曲线相似，可以分为四个区. 可变电阻区 恒流区 截止区 击穿区 （3）恒流区：又称饱和区或放大区，是预夹断后的区域，管子漏极电流iD几乎不随uDS变化，主要由uGS决定。在此区域，场效应管可以看作一个恒流源。利用场效应管做放大管时，管子在此区域工作。 当 ， 时，JFET工作在饱和区，此时 1.直流参数 (1)夹断电压UGS(off) (2)零偏漏极电流IDSS (3)直流输入电阻RGS 2.交流参数 (1)跨导gm (2)极间电容 绝缘栅型场效应管是由金属（Metal）、氧化物（Oxide）和半导体（Semiconductor）材料构成的，因此又叫MOS管，可以用MOSFET表示。绝缘栅场效应管分为增强型和耗尽型两种，每一种又包括N沟道和P沟道两种类型。 增强型和耗尽型的区别是：当uGS=0时，存在导电沟道的称为耗尽型，不存在导电沟道的称为增强型。 3.2.1 N沟道增强型MOS管 1.结构与符号 符号中的箭头表示从P区（衬底）指向N区（N沟道），虚线表示增强型。 2. N沟道增强型MOS管的工作原理 （2）uDS对iD的影响 3.伏安特性曲线及大信号特性方程 MOSFET的输出特性是指在栅源电压uGS一定的条件下，漏极电流iD与漏源电压uDS之间的关系，即 该输出特性曲线与结型场效应管相似，MOSFET有三个工作区域：可变电阻区、饱和区、截止区。 （1）截止区：当uGS＜UT时，导电沟道尚未形成，iD＝0，为截止工作状态。 （2）可变电阻区：当uDS≤（uGS－UT）时， 其中Kn为电导常数。 由于饱和区内， iD受uDS的影响很小，因此在饱和区内不同uDS下的转移特性基本重合。 3.2.2 N沟道耗尽型MOS管 （1）结构、符号与工作原理 N沟道耗尽型MOSFET的输出特性和转移特性如图所示。耗尽型NMOSFET的电流方程为： 3.2.3 MOSFET的主要参数 场效应管同三极管一样，具有放大作用。它也可以构成各种组态的放大电路，共源极、共漏极、共栅极放大电路。场效应管由于具有输入阻抗高、温度稳定性能好、低噪声、低功耗等特点，其所构成的放大电路有着独特的优点，应用越来越广泛。 3.3.1 场效应管放大电路的偏置及静态分析 场效应管是一个电压控制器件，在构成放大电路时，为了实现信号不失真的放大，同三极管放大电路一样也要有一个合适的静态工作点Q，但它不需要偏置电流，而是需要一个合适的栅源极偏置电压UGS。场效应管放大电路常用的偏置电路主要有两种：自偏压电路和分压式自偏压电路。 【解】由JFET的伏安特性易知 UGSQ=－IDQ*1kΩ 联解上面两式，可求得 IDQ=2.9mA、UGSQ=―2.9V 进而可知 UDSQ=UDD－IDQ（RS+RD）=18.4V 3.3.2 场效应管的微变等效