模电 第五版 康华光 part5.ppt

第5章 场效应管放大电路 概述 5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 按结构不同场效应管有两种: 5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 耗尽型 3. 场效应管的主要参数 场效应管与晶体管的比较 5.2 MOSFET 放大电路 5.2 MOSFET 放大电路 1.自给偏压式偏置电路 2) 动态分析 5.3结型场效应管(JFET) 1.结构 2.工作原理 ①栅源电压VGS对iD的控制作用 ②漏源电压VDS对iD的影响 JFET工作原理（动画2-9) (3)伏安特性曲线 可变电阻区 夹断区 ②转移特性曲线 结型场效应管的特性小结 在栅源间加电压VGS＞VP，漏源间加电压VDS。则因漏端耗尽层所受的反偏电压为VGD=VGS-VDS，比源端耗尽层所受的反偏电压VGS大,(如:VGS=-2V, VDS =3V, VP=-9V,则漏端耗尽层受反偏电压为-5V，源端耗尽层受反偏电压为-2V),使靠近漏端的耗尽层比源端厚，沟道比源端窄，故VDS对沟道的影响是不均匀的，使沟道呈楔形。 当VDS增加到使VGD=VGS-VDS =VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断点， 随VDS增大，这种不均匀性越明显。 当VDS继续增加时，预夹断点向源极方向伸长为预夹断区。由于预夹断区电阻很大，使主要VDS降落在该区，由此产生的强电场力能把未夹断区漂移到其边界上的载流子都扫至漏极，形成漏极饱和电流。 （动画2-6） ①输出特性曲线 恒流区：(又称饱和区或放大区） 特点:(1)受控性： 输入电压vGS控制输出电流 (2)恒流性：输出电流iD 基本上不受输出电压vDS的影响。 用途:可做放大器和恒流源。 条件:(1)源端沟道未夹断 (2)源端沟道予夹断 特点:(1)当vGS 为定值时,iD 是 vDS 的线性函数，管子的漏源间呈现为线性电阻，且其阻值受 vGS 控制。 （2）管压降vDS 很小。 用途：做压控线性电阻和无触点的、闭合状态的电子开关。 条件：源端与漏端沟道都不夹断 用途：做无触点的、接通状态的电子开关。 条件：整个沟道都夹断 击穿区 当漏源电压增大到 时，漏端PN结发生雪崩击穿，使iD 剧增的区域。其值一般为（20— 50）V之间。由于VGD=VGS-VDS, 故vGS越负，对应的VP就越小。管子不能在击穿区工作。 特点： 输入电压VGS对输出漏极电流ID的控制 * 第5章 场效应管放大电路 5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET 放大电路 5.3 结型场效应管(JFET) 5.5 各种放大器件电路性能比较 场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，即是电压控制元件。它的输出电流决定于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它的输入电阻高，且温度稳定性好。 结型场效应管 金属-氧化物-半导体场效应管 本节仅介绍金属-氧化物-半导体场效应管 按工作状态可分为：增强型和耗尽型两类 每类又有N沟道和P沟道之分 漏极D 栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的，称绝缘栅型场效应管。 金属电极 1) N沟道增强型管的结构 栅极G 源极S 1. 增强型绝缘栅场效应管 SiO2绝缘层 P型硅衬底 高掺杂N区 G S D 符号： 由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达108? 。 漏极D 金属电极 栅极G 源极S SiO2绝缘层 P型硅衬底 高掺杂N区 由于金属栅极和半导体之间的绝缘层目前常用二氧化硅，故又称金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOS场效应管。 2）N沟道增强型管的工作原理 EG P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS ED + – 由结构图可见，N+型漏区和N+型源区之间被P型衬底隔开，漏极和源极之间是两个背靠背的PN结。 当栅源电压UGS = 0 时，不管漏极和源极之间所加电压的极性如何，其中总有一个PN结是反向偏置的，反向电阻很高，漏极电流近似为零。 S D 2）N沟道增强型管的工作原理 EG P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS ED + – 当UGS 0 时，P型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层； N型导电沟道 在漏极电源的作用下将产生漏极电