单晶炉炭毡及热屏对单晶硅生长影响的优化模拟.pdf

中国工程热物理学会 传热传质学 学术会议论文 编号：093171 单晶炉炭毡及热屏对单晶硅 生长影响的优化模拟 苏文佳，左然 （江苏大学能源动力学院，江苏省镇江市 212013） (TelEmail:wjs1111@126.com) 摘要：在Cz 法生长太阳能级单晶硅中，对热屏和侧壁炭毡进行优化，并对优化前后的热场进行数值模 拟。通过分析晶体和熔体的轴向温度分布、热屏外表面与石英坩埚内壁面之间的氩气流场以及晶体中 的Von Mises 应力，得出以下结论：优化后的热屏有效减少了加热器对晶体的烘烤，优化后的侧壁炭 毡有效阻止了加热器向上部的热损失，因而降低了加热器功耗，并使结晶速率至少提高20％，而不增 加宏观位错的发生概率。此外，还降低了SiO 沉积落入熔体的概率。 关键词：单晶炉；优化；数值模拟；热屏；炭毡 0 前言 直拉法（即Cz 法）晶体生长是用于半导体和太阳电池单晶硅的主要生长方法。目前 大多数热场设计都专注于改善铸锭质量[1-5]，然而对于太阳电池来说，最重要的是降低 铸锭的成本，光伏组件50％以上的成本消耗于铸锭和晶片的生产[6]。通常有两种方法来 降低成本：一是降低加热器的功耗；二是提高拉晶速度。两种方法中，提高拉速的方法 更有效。拉速提高，不仅缩短了晶体生长时间，节省了功耗，而且增加了产率。但是， 简单地提高拉速，会带来晶体质量的下降；拉速过快甚至可能产生多晶。因此，在提高 拉速的同时，必须对晶体生长系统的热场进行优化，以保证生长出质量合格的晶体。 对于光伏产业广泛使用的单晶炉，有两种常用的方法来改进热场、提高拉速：（1） 改变热屏的形状及尺寸；（2）改变侧壁隔热层的厚度。当然是在保证晶体质量的前提下 进行。工业设备的改造和实验非常昂贵并且耗时，利用计算机数值模拟，能够快速而经 济地再现各种晶体生长过程，预测其中的物理现象[7-9]。本文针对一种生长直径 200mm 硅棒的Cz 单晶炉，利用数值模拟方法，对Si 单晶生长进行优化。目的是在保证晶体质 量的前提下，降低功耗、提高拉速。 1. 模型方法 采用德国STR 公司开发的晶体生长专业模拟软件CGSim，该软件用于直拉法Si 单晶 生长所预测的生长速率、功率消耗、晶体缺陷等已经被大量实验证实[7-10]。 基金项目：江苏省普通高校研究生科研创新计划资助项目 项目代码：1291130015 作者：苏文佳（1982.2－），男，博士研究生，主要从事晶体硅生长和太阳能热利用研究。 在生长系统的物理模型中考虑了传导、对流、辐射三种热交换过程以及相变效应。 在熔体和气体区, 热交换机制为传导和对流；在石英坩锅等固态区为传导；在坩埚外壁 与外部环境之间为对流和辐射。计算方法采用有限体积法（流体区）与有限元法（固体 区）结合[1,11,12]，湍流模型应用改进 Chien 方法。在上述基础上，计算二维轴对称的单 晶炉的流场和温场[13]，以及晶体中的热应力。详细的模型方法见参考文献[14]。 2. 建模及参数设置 图1 炉体结构（右）及网格划分（左） 根据实际的炉体结构，对其进行轴对称简化，得到如图 1 （右）所示炉体结构。炉 体上部观察孔、下部石墨电极引脚和氩气出口均非轴对称，视其对整体热场的影响程度， 按照等效传热的原则将其简化。计算网格约12,550 个，如图1 （左）所示，其中对重点 关注的熔体和液固界面等进行网格加密细化。 模拟中使用的主要材料的物性参数如表 1 所示。晶体直径200mm，拉出的晶体总高 度1500mm，多晶硅总投料120kg，石英坩埚内径532mm，外径555mm。 表1 模拟中使用的主要物性参数[15] 比热容（J/kg ·K ） 热导率（W/m ·K ） 辐射系数 硅（晶体） 1000 98.