单粒子效应的加速器模拟研究.pdf

,}:佩翻.. 单粒子效应的加速器模拟研究’ 侯明东刘杰 李保权 刘吕龙 于志光孙友梅 金运范 (中国科学院近代物理研究所，兰州730000) 摘要 本文论述了用重离子加速器进行宇航半导体器件单粒子效应研究的实验装置和相关技术。 关键词:单粒子效应 孟离子加速器 实验技术 重离子加速器是单粒子效应地面模拟的主要工具，目前器件的单粒子效应数据绝大部分都 是来自加速器的实验结果，因此重离子加速器在单粒子效应研究中具有极为重要的位置。近代 物理所兰州重离子加速器和原子能研究院的串列加速器HI-13是国内两台可以开展单粒子效应研 究的重离子加速器。本文首先论述地面模拟对加速器的要求，然后详细介绍与加速器配套的单 粒子实验装置以及相关的实验技术，意在为国内利用重离子加速器开展单粒子效应研究注_作提 供某些借鉴。 1地面模拟对加速器的要求 单粒子效应模拟对加速器的基本要求是:有大的LET可变范围、足够的射程、小的能量展 宽、均匀的束流面密度、能获得弱的束流。重离子加速器在这五个方面具有良好的性能，才能 成为单粒子效应地面模拟的一个有效工具。单粒子效应产生的必要条件是入射的离子在器件的 灵敏区中产生足够的电荷，这就要求离子有一定的LET以沉积足够的能量，与此同时离子应有足 够的射程，以使电荷产生在可收集的区域，也就是说，在上述五个要求中，前两项是最基本 的，它们可归结为离子的能量和种类的选取。 (1)关TLET的要求 在硅中产生一个载流子对需要3.6eV,欲在灵敏区收集到临界电荷Qc，所需要的最小沉积能 量为: Emin(MeV)=22.5Qc(10库仑)/f 其中，f为收集效率。这个能量需由入射离子的能量损失来提供: Emin=(dE/dX)X2 其中，:为灵敏区厚度。对于给定的器件，灵敏区的线度Z和临界电荷Qc 无法人为改变的，必 须dE/dX人于某一数值才能引起单粒子事件，这也就限定了离子的种类和能量的选择范围。 重离子加速器可以从c至U的多种离子，为LET的选择提供了广阔的范围，如采用倾角入射， LET可以得到进一步的扩展。 (2)关于能量的要求 *国家自然科学纂金资助项目(194了5051和甘肃省自然科学基金 (ZR96-025)及中科院 “九 五”重点资助项 目 328 器件表层至灵敏区有一定的距离，离子必须在材料中有足够的射程，才能到达灵敏区并在 其中沉积足够的能量。对于顶层较厚的CMOS器件，对于倾角入射的辐射方法，对于LET较大的重 离子，这一问题变得更为突出，能否到达灵敏区是个需要考虑的关键问题。对于高的LET。能损 大，尤需要离子有高的能量。应当强调指出的是，在SEE分析中，一个基本参量是收集电荷，而 不是LET,`Cf源模拟的某些局限就是很好的例子。 一般串列加速器难以将重离子加速到足够的能量，因此仅适于用低LET的离子做确定翻转 阂值的_1=作，而回旋加速器的高能离子才适合于做高LET的翻转截面研究 此外，不同的单粒子现象涉及的灵敏区深度不同，人致可分为浅层效应和深层效应两 类。因而较高的能星1,较大的射程可以揭示更多的现象。 大型的回旋加速器有高的能量，对带有聚酞亚胺保护膜的器件仍然可以进行SEE检测，而 在能量较低的串列静电加速器上则无能为力。另外，高的能量允许通过箔窗将束流引到空气 中，可在空气中进行SEE检测，这对于整机测试及器件的更换十分有利。 同时需要指出的是:回旋加速器给出的能量高，常处在dE/dX-E曲线峰值的高能一侧， 它将在芯片的某一深度上达到dE/dX的最大值。而串列加速器的离子具有较低的能量，常处在 dE/dX-E的曲线峰值的低能一侧，这样的离子入射到芯片上，随深度的增加，dE/dX呈单调下 降，也就是说最大的dE/dX在表面。这对于采用双金属工艺的CMOS器件在顶层中将损失可观的能 量，到达灵敏区时dE/dX已有较大的降低。 (3)关于其它要求 对于能量单色性的要求是出于精确给出LET值的需要，一般应好子1% SEE模拟需要束流有良好