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第十居全国电子束离子束光子束学术年会 全透明X射线移相光刻 谢常青，叶甜春，孙宝银，赵玲利，李兵.晋兴才，晋俊红，陈大鹏，韩敬东 (中国科学院微电子中心，北京10001助 摘要:对全透明X射线移相光刻的原理进行了论述，提出了两种全透明X射线移相光刻方式， 是后对它进行了初步的实验研究。 关健词;X射线光刘;同步辐射;移相 1 前 言 从技术复杂度、产量、成本等诸多因素看来，x射线光刻技术都较其它后光学光刻技术(如 电子束投影、极紫外、离子束投影等)具有较大的优势。近几年x射线光刻技术研究取得了较 大进展[[1,2]，在工业应用方面，IBM正在其生产线上进行批量生产试验，在研究方面。1998年 美国麻省理工学院把X射线光刻应用于纳米MOSFET和化合物半导体器件的制作，取得了 较大的进展，已经研制出25纳米栅长的MOSFE7，结果令人瞩目。 1:1式X射线掩模的制作中最困难的环节是深亚微米吸收体图形的制作，往往需要依赖 于高精度的电子束光刻机，由于电子束光刻机所制作出的图形高度往往不是太高，因此往往需 要进行加法或者减法的图形转移(3,4)制作起来比较麻烦，而且成本也很高。其实，光学光刻 也面临着高分辨率光学掩模越来越难制做的难题。光学移相光刻技术是光学光刻技术技术的 重大突破。类似于光学移相光刻技术，x射线移相光刻技术可以提高x射线的分辨率，常用 的x射线移相光刻有许多种类 ，如赖 文森 型 ，边缘 辅助型等等 。但是 ，毫无疑 问，赖文森 型 x 射线移相掩模的制作是非常困难的。而全透明x射线移相光刻具有技术简单，成本较低等优 点，尽管它并不是一种通用的光刻方法(比如它不能应用于接触孔的制作)，但是在某些方面它 还是可以大有作为的，特别是在科学研究方面，如深亚微米器件栅图形的制作。 2 两种全透明X射线移相方式 全透明x射线移相光刻的原理类似于光学全透明光学移相光刻。x射线移相掩模上并 没有常规x射线掩模上的重金属吸收体(如金，钨等)而是一种移相器，其作用是使x光透过 移相掩模时在移相器图形边缘线两边光相位突然改变 180度，光的相消干涉抵消了一部分光 透过衍射效应 .从而改变空间光强分布。 383 湖南 长·沙 X射线移相器的厚度是影响x射线移相光刻效果的重要因素。复数介质常数u可以从 原子散射因子f，和f2得到: N二1S jQ二1kflikf2 (1) x二To22pVAI(2A}) (2) A是原子序数，NA阿佛加得罗常数，7o是经典电子半径,x是x射线波长，P移相器的密 度 。 由费马定理不难推出，对于点源x射线光刻，如果要使相位角改变少，那么移相器厚度t 可以如下计算: t=20/(28)=20/(2kj;Jt) (3) 显然，对于18。度位相改变，移相器厚度t应为x汉城)。 对于光学光刻而言，光源必须是单色光，移相效应才明显，而x射线移相光刻则无此限 制，在同步辐射X射线束线上仍然可以进行移相光刻，这是由X射线的本质决定的。我们知 道，fl是波长的函数，对于光学波段，f,随波长的改变而发生一定改变，而X射线则不一样，在 x射线波段f,基本不随波长的改变而发生改变。因此，在同步辐射x射线上仍然可以进行移 相光刻。当然，我们相信，在点源X射线上也可以进行移相光刻，那么。在点源x射线上还是 在同步辐射x射线_L进行移相光刻效果更好呢?我们通过理论计算，初步推断出在同步辐射 X射线上进行移相光刻效果会更好，当然，这个结果并没有得到实验验证，还有待于进一步的 深入研究。 毫无疑问，x射线移相光刻中移相掩模与待曝光的硅片的距离是一个重要因素，间距越 小，越有利于减小衍射效应的影响，类似于我们研究所的刘训春、钱鹤等同志提出的衬底光学 移相光刻的方法，为了减少间距，我们也把移相器做在待曝光的硅片上。 3 初步X射线移相光刻实验结果与分析 睡光实验是在北京同步辐射装置3BIA光刻束线上进