玻璃-氧化硅复合基板材料的制备及性能.pdfVIP

维普资讯 第9期 电 子 元 件 与 材 料 、b1．25No．9 2006年9月 ELECTRONIC COMPONENTS& MATERIALS Sep．2006 玻璃 一氧化硅复合基板材料的制备及性能 汤 涛，张其土，许仲梓 (南京工业大学材料科学与工程学院，江苏 南京 210009) 摘要：以低相对介电常数的硼硅酸盐玻璃粉末和氧化硅粉末为原料，制备了玻璃一氧化硅复合材料。研究了烧结 温度和氧化硅含量对复合材料的电学性能和力学性能的影响。结果表明，当氧化硅质量分数为45％时，玻璃一氧化硅 复合材料经840℃、2h的烧结后，其 为3．8，tan 为4xl0-4，P为98x10“Q ·cm，抗弯强度盯为30MPa。另外， 该复合材料在 100—500℃之间的热膨胀系数为(8．0-10．0)xl0_6℃I。。 关键词：无机非金属材料；玻璃；氧化硅；基板；介电性能；力学性能 中图分类号：TM28 文献标识码：A 文章编号：1001．2028(2006)09．0046．03 PreparationandPropertiesofGlass—silicaCompositeSubstrate TANGTao，ZHANGQi-tu,XUZhong-zi (CollegeofMaterialsScienceandEngineering，NanjingUniversityofTechnology，Nanjing 210009，China) Abstract：Theglass—silicacompositematerialswereprepared，usingborosilicateglasspowderwith low dielectric constantandsilicapowderasstartingmatedals．Theeffectsofthesinteringtemperatureandthesilicacontentontheelectrical andmechnaicalpropertieswerestudied．Theresultsshow thatwhenhtesilicacontentiS45％， reaches3．8，tan reaches 4xl 咖evolumeresistivityreaches9．8x10“Q 。cm andhtebendingstrengthreaches30MPaaftertheglass-silicacomposite matedalsaresinteredfor2hathtetemperatureof840 ℃．Thehtermalexpandcoefficientofhtecompositematedal iS (8．0—10．0)xlO ℃ inthetemperaturerangeof100-500℃． Keywords：inorganicnon-metallicmaterials；glass；silica；substrate；dielectricproperties；mechanicalproperties 封装技术是微电子技术飞速发展的关键技术之 x(AI203)为5％～10％)和x(CaO)为5％～10％为原料， 一 ， 陶瓷基板与封装材料在高性能微电子应用领域起 经 1450℃熔制、淬冷、破碎、研磨制各了低相对介 着十分重要的作用。随着集成电路 (IC)和超小型电 电常数的硼硅酸盐玻璃粉末，该玻璃粉末的￡r=3．9，