集成电子学(第六章).ppt

第六章 新型纳米CMOS器件 随着器件尺寸不断缩小，体硅CMOS技术发展已经越来越接近基本物理极限。 实际上尺寸缩小受制于经济和物理两方面。 低成本缩小器件尺寸，提高性能的手段在于设计的改进，除了通过栅工程以及沟道工程来改善小尺寸器件的性能，开发一些新的器件结构将有助于CMOS克服按比例缩小的限制，使CMOS技术在纳米时代继续日新月异地发展。 一、新型衬底结构器件 SOI MOS器件 SOI MOSFET是一种采用SOI(Silicon On Insulator)衬底材料制备的器件。 由于埋氧化层的存在，SOI电路寄生电容小，而且易于实现全介质隔离，避免了闩锁效应。 薄膜全耗尽SOI技术由于实现体反型，载流子迁移率增大，电流驱动能力提高，跨导增强，而且短沟道效应小、亚阈值斜率陡直，在高速和低压、低功耗电路中有着广阔的应用前景，尤其适于纳米CMOS应用。 在器件特征尺寸不断缩小的情况下，SOI技术的优势愈来愈突出，已成为未来几代IC技术的优选技术。 体硅技术在器件特征尺寸缩小到亚100nm以后，为抑制短沟效应需要采用多种新的工艺技术，如HALO、POCKET注入，超浅结技术等，随着沟道长度的不断缩小，这些技术的实现，尤其是横向沟道工程的实现十分困难，而且会带来器件其他方面性能的损失。 而薄膜全耗尽SOI器件由于采用很薄的硅膜，易于实现超浅结技术，可以很好地抑制短沟道效